跨导定义为漏源电压VDS一定时，漏极电流 的微分增量与栅极电压的微分增量之比.

　　什么是场效应晶体管(FET)？ 场效应晶体管是区别于双极型晶体管的另一大类晶体管。 它通过改变垂直于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电 能力，从而调制通过沟道的电流。由于场效应晶体管的工 作电流仅由多数载流子输运，故又称之为“单极型场效应 晶体管” J-FET FET MESFET

　　Vp0=Vbi-Vp 表示整个沟道由栅源电压夹断 时，栅p-n结上的电压降，为区别起见， 称为本征夹断电压。

　　器件的跨导与沟道的宽长比Z/L成正比，所以在设计器件时通常 都是依靠调节沟道的宽长比来达到所需要的跨导值。 由于存在着沟道长度调制效应，要得到好的饱和特性，L就不能 无限制地减小，一般控制L为5至10m左右。 为了增大器件的跨导，往往采用多个单元器件并联的办法来扩 大沟道宽度。

　　对于同一个器件而言，跨导随栅电压VGS和漏电压VDS而变化， 当VGS=0，VDS=VDsat时，跨导达最大值。

　　JFET沟道厚度因栅p-n结耗尽层厚度扩展而变薄， 当栅结上的外加反向偏压VGS 使p-n结耗尽层厚度 等于沟道厚度一半(h=a)时，整个沟道被夹断，此 时的VGS称为JFET的夹断电压，记为 Vp。

　　栅极截止电流IGSS和栅源输入电阻RGS 栅极截止电流是pn结(或肖特基结)的反向漏电流电流

　　结型场效应晶体管有较高的输入电阻，且该电阻 与温度、反向偏压及辐照等因素有关。

　　表示栅源之间所能承受的栅p-n结最大 反向电压。VDS=0时，此电压决定于n 型沟道区杂质浓度。当VDS0时，漏端 n区电位的升高使该处p-n结实际承受的 反向电压增大，所以实测的BVGS值还 与VDS有关。 表示在沟道夹断条件下，漏源间 所能承受的最大电压。 在JFET中，无论是VGS，还是VDS， 对于栅结都是反向偏压，二者叠 加的结果是漏端侧栅结上所加的 反向偏压最大。

　　Rmin 表示VGS ＝0、且VDS 足够小，即 器件工作在线性区时,漏源之间的沟道 电阻，也称为导通电阻。对于耗尽型器 件，此时沟道电阻最小，因而称其为最 小沟道电阻。