您可能很清楚，现代电气工程，实际上是整个现代世界，与称为晶体管的设备密不可分。这些组件既可用作开/关开关，也可用作放大器。虽然场效应晶体管目前在电子领域占主导地位，但原始晶体管是双极晶体管，很快就会有第一个双极结型晶体管或BJT。

　　BJT有两种基本形式：NPN和PNP。这些字母指的是正掺杂半导体层和负掺杂半导体层的排列，如下图所示：

　　请注意，彩色PNP和NPN图是简化的，不能反映集成电路BJT的实际物理配置。

　　当需要开关或驱动电路时，NPN为数字输出信号（例如微控制器产生的控制信号）提供了更直接的接口。

　　NPN实际上在重要方面优于PNP。这导致了NPN的特别主导地位，因为BJT必须与MOSFET竞争，BJT团队在向比赛发送NPN时更容易获胜。笔者这个2009年加州大学伯克利分校的文件，胡正明，走得更远，他说的，因为这种情况，即较高的NPN性能和MOSFET的-BJT的普遍倾向于认为是“几乎完全是NPN型的。”

　　因此，我们不能否认PNP不太常见，并且通常不太理想 - 但这并不意味着我们应该忽略它们。本文的其余部分将讨论PNP特性和应用程序。

　　如上所示，PNP晶体管的发射极和集电极通过p型掺杂形成。这意味着PNP中的大多数电荷载流子都是空穴。

　　这个事实似乎与实际工程无关，因为只要电路工作，我们真的不关心使用什么类型的电荷载体。但事实证明，我们不能简单地忽略空洞与电子问题，因为空洞比电子“慢”。更具体地，它们具有较低的移动性。

　　如下图所示，电子迁移率总是高于空穴迁移率，尽管掺杂浓度确实会影响两者之间的差异。（请注意，此图专门针对硅片。）

　　您可能已经猜到，较高的电子迁移率使NPN晶体管比PNP具有速度优势。上面引用的加州大学伯克利分校的文件表明，更高的迁移率也会导致更高的跨导，更高的跨导意味着更高的小信号增益。不过我对此并不确定。据我所知，移动性仅对MOSFET跨导有显着影响，而不是BJT跨导。如果我错了，请随时在评论部分告诉我。

　　PNP不如NPN受欢迎的另一个原因是，它与许多电气工程师永远不必担心的事情有关：制造集成电路的实际过程。我已经看到各种迹象表明NPN比PNP更容易和/或更便宜，但很难找到有关该主题的详细（和权威）信息。

　　我确实找到了一个可靠的解释，它与BiCMOS技术有关。我的旧Sedra和Smith教科书（Microelectronic Circuits）表示，“大多数BiCMOS工艺”无法生产优化的PNP晶体管。与BiCMOS合作的IC设计人员显然不得不接受非优化设备 - 或者“彻头彻尾的平庸”将是描述它们的更好方式。该书表明β约为10，高频表现不尽如人意; 相比之下，BiCMOS NPN器件的β值为50到100，可以使用频率高达千兆赫兹的范围。

　　PNP的基本操作与NPN的基本操作相同，但极性反转的方式有时会导致电路配置笨拙。

　　我的目标不是列出所有可以使用PNP晶体管的电路。实际上，这是不可能的，因为PNP可以以无数种方式使用，尽管在许多情况下NPN可能更可取。相反，我将重点介绍一些我已经注意到的电路或应用，以寻找PNP晶体管的常用位置。