P型衬底上制作两个掺杂浓度较高的N型区，分别作为漏区和源 区，在漏区和源区之间的区域上面制作一层绝缘层（一般是二氧

　　和漏区两个掺杂区之间的距离称为沟道长度L，而垂直于沟道长 度的有效源漏区尺寸称为沟道宽度W。

　　在模拟电路中，由于MOS晶体管具有很高的输入阻抗，从 而可提高它作为电压放大器的性能 。而在数字电路中，

　　根据导电沟道的不同，MOS晶体管可分为P沟道MOS晶体 而根据在没有外加电压条件下导电沟道形成与否又可分为耗尽型 MOS管和增强型MOS管。

　　沟道的不同可以分为NMOS和PMOS器件。MOS器 件基于表面感应的原理，是利用垂直的栅压vGS 实现

　　当MOS管栅极上没有外加电压时，MOS管的漏区和源区被两 个二极管隔开，如图2.2.1所示，源区和漏区之间没有导电沟道形

　　成，呈现出高阻状态。这时候，如果在漏极和源极间外加电压 vDS，漏区到源区之间始终不会有电流流过。

　　（a）增强型 （b）耗尽型 图2.1.4 MOS管在电路中的符号 耗尽型MOS管与增强型MOS管不同之处在于，耗尽型MOS管 在vGS=0时，导电沟道已经存在，它是通过加工过程中的离子注 入方式形成的。