三极管的结构简单来说在一个硅（或锗）片上生成三个杂质半导体区域，一个P区（或N区）夹在两个N区（或P区）中间。所以三极管一般分为NPN型或PNP型，材质分为硅或锗。从三个杂质半导体域各引出一个电极分别叫发射极e、集电极c、基极b,相对应的杂质区域分布称为发射区、集电区、基区。三个区域形成两个PN结，发射区与基区间的PN结称为发射结，集电区和基区间的PN结称为集电结。图1是两种类型三极管的概念图，其中发射极上的箭头表示发射结加正偏电压时，发射极的电流方向。由于二极管就是一个PN结组成，便于理解可以将三极管看作为两个二极管串联

　　相比FET是电压控制型元件，三极管则是电流控制型元件，三极管的工作状态有三种：截止、放大、饱和。

　　放大状态: 发射极正偏、集电极反偏,Ube≥0.7V, 而Ubc＜0，关系公式ΔIC＝βΔIB；

　　三极管是一个以b(基极)电流Ib 来驱动流过CE 的电流Ic 的器件，它的工作原理很像一个可控制的阀门，三极管工作在放大状态下存在Ic=β*Ib的关系。

　　上图中细管子里蓝色的小水流冲动杠杆使大水管的阀门开大，就可允许较大红色的水流通过这个阀门。当蓝色水流越大，也就使大管中红色的水流更大。如果放大倍数是100，那么当蓝色小水流为1 千克/小时，那么就允许大管子流过100千克/小时的水。三极管的原理也跟这个一样，放大倍数为100 时，当Ib(基极电流)为1mA 时，Ice的电流为100mA，此时三极管处于放大状态; 而当没有蓝色水流流过时，大水管的阀门不打开，没有红色水流流过，三极管也就没电流从C流到e,三极管处于截止状态;当蓝色水流足够大使大水管的阀门完全打开时，此时蓝色水流再变大，也不会影响红色水流的大小，同理当Ib的电流足够大，Ice的电流将不会受基极电流影响，此时三极管处于饱和状态。

　　方法1：根据三极管工作状态时各个电极的电位高低，从而判别三极管的工作状态。

　　方法2：先假设是在饱和区，在计算C E两端的电压，以0.3V(具体电压根据芯片手册选择）作为饱和区放大区的判断标准，小于则为饱和模式，大于则为放大模式；当c e间电压为无穷大时即为截止区！