的体积和数量决定了芯片的性能，如今芯片发展的越来越强大，其内部晶体管数量也在不断增多，如今已经

　　我们把时间退回到2007年，当时在旧金山举办了一场演讲，在那场演讲中，Intel CEO展示了一款32nm制程的芯片，他表示该芯片中集成了超过19亿个晶体管，Intel将会在2009年正式量产32nm制程工艺的芯片。

　　2010年Intel推出了Corei7≤980X，这款芯片采用了32nm制程工艺，内部大约有11亿7000万个晶体管。

　　而在现在，最新的制程工艺已经达到了2nm，IBM公司2nm芯片中的晶体管数量已经达到了500亿个，是2010年32nm芯片的几百倍，这样巨大的差距恰好反映了目前芯片发展的速度之快。虽然2nm芯片技术还在研发阶段，不过台积电和三星两家芯片巨头已经计划好在2025年正式量产2nm芯片了，到那时我们日常使用的等恐怕又会迎来翻天覆地的变化。

　　多发射极分别接到比较器的输出端，集电极共用一路上拉电阻连接至电源，如果多路比较器

　　技术助力提升功率器件性能及使用寿命 /

　　在氮沸点下表现出近乎两倍的性能提升。这一成就预计将带来多项技术进步，并可能为纳米

　　我在进行AD8138ARM的热仿真，datasheet中只有结到环境的热阻JA的数据，我需要结到外壳的热阻Jc的数据，还有AD8138ARM放大器集成的

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