英特尔最新推出的22nm三栅极晶体管，实际上就是FinFET晶体管，在IDF2012上，英特尔将22nm三栅极晶体管作为第一个重点技术推向市场。

　　相对于传统上一大32nm晶体管，22nm三栅极晶体管的优势在于性能的提升和功耗降低。

　　保持相同的低压情况下，22nm三栅极晶体管的性能比上一大性能提升30%以上，而若是以功耗来比较的话，相同功耗的性能提升约为50%。

　　我们来看在IDF2012大会上，英特尔官方给出的22nm三栅极晶体管结构图，对比FinFET晶体管的结构示意图，两者都是采用3D结构的闸门（英特尔中文翻译为栅），来实现晶体管电路的接通与闭合。在英特尔官方介绍中，也用到了“鳍”这一个字来形容闸门。