东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量出货。

　　新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线L(X)封装的产品，其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，有助于减少封装内源极线电感的影响，从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%，关断损耗降低了约34%[2]。这一改善有助于降低设备功率损耗。

　　东芝将继续扩大自身产品线，进一步契合市场趋势，并助力用户提高设备效率，扩大功率容量。

　　*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，但如有变更，恕不另行通知。

　　关键字：引用地址：东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装

　　上一篇：东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化

　　据金融时报报道，日本的银行家、政客和公司正在临时加紧组建一个“全本土阵容”的竞购联盟，以谋求对东芝闪存业务的收购。受到核电业务减记的影响，东芝正寻求出售旗下著名的储存芯片业务以减少亏损。 民族和政治色彩浓厚的交易引发了投资者的担忧。这一事件同时也将对日本首相安倍晋三推动日企改革的努力带来严峻考验。 知情人士透露，目前这一洽谈仍处在探索阶段，尚无公司敲定交易。此前有分析师预计，东芝旗下计算机芯片子公司的售价可能高达200亿美元或更多。 在东芝卖芯片家底求自保之际，日本商界领袖和政界人士担忧东芝的技术落入海外公司手中。“半导体业务是日本的一项重要核心技术，行业雇员亦汇集了世界顶级人才。让这些技术和人才流失海外不利于国

　　本文的关键要点 ・探头的连接方法会给波形测量结果带来很大影响。 ・如果延长线较长，在栅极引脚和源极引脚与测量夹具之间形成的环路会导致观察到的波形与真正的波形完全不同，因此，连接时要确保这个环路最小。 SiC MOSFET栅-源电压测量：探头的连接方法 如“一般测量方法”中所提到的，探头的连接方法对测量到的波形影响很大。为了确认这一点，下面我们将对常见的探头连接方法所造成的测量波形差异进行比较。 (a) 将探头直接与DUT引脚连接 (b) 剥离绞合线绝缘层，用线芯连接探头 (c) 给长绞线Ω的阻尼电阻并连接探头 (d) 给短绞线Ω的阻尼电阻并连接探头 (a)是将电压探头的头部直接与DUT引脚连接。

　　栅-源电压测量：探头的连接方法 /

　　东芝的存储芯片业务依然没有确定买家。9月13日，东芝再次宣布将与2个多月前选择的优先谈判对象日美韩联盟“加速协商”。在备受关注的出售谈判背后，危机正悄然靠近。其他竞争企业已经增设生产设备，东芝的技术人员也正在不断流失。不仅是韩国和美国，正在培养半导体产业的中国也在行动。 似乎是看透了现场技术人员的凝聚力降低，其他竞争企业纷纷来东芝挖人。在正式开始推进出售谈判的初春时节，一到傍晚，四日市工厂的南门就会出现可疑的身影。他们是猎头公司的员工。南门离开发设施最近。猎头公司来这里是为了挖走那些能够提高半导体生产的成品率、被称为“工艺工程师(Process Engineer)”的技术人员。 在半导体领域，有时一个想法就能大幅提高成品率和产品

　　由于日本东芝（TOSHIBA）半导体、内存业务依然没有确定买家，在备受关注的出售谈判背后，危机正悄然靠近，东芝的技术人员也正在不断流失。 现在，不仅是南韩和美国，正在培养半导体产业的中国大陆的紫光集团也在行动，打算大肆挖脚东芝的优秀工程人才。 日经中文网报导，似乎是看透了技术人员的凝聚力降低，其他竞争企业纷纷来东芝挖人。 在正式开始推进出售谈判的初春时节，一到傍晚，位于日本四日市工厂的南门就会出现可疑的身影。 他们是猎人头公司的员工。 南门距离开发设施最近，猎人头公司来这里是为了挖走那些能够提高半导体生产的成品率、被称为「工艺工程师（Process Engineer）」的技术人员。 在半导体领域，有时一个想法就能大幅提高成品率和

　　2018年4月10日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。 大联大品佳代理的英飞凌的这款SiC MOSFET带来的影响非常显著。电源转换方案的开关频率可达到目前所用开关频率的三倍或以上。还能带来诸多益处，如减少磁性元件和系统外壳所用的铜和铝两种材料的用量，便于打造更小、更轻的系统，从而减少运输工作量，并且更便于安装。新解决方案有助于节能的特点由电源转换设计人员来实现。

　　罗姆与马自达和今仙电机就使用了碳化硅功率模块的e-Axle用逆变器签署联合开发协议 全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）与马自达汽车株式会社（以下简称“马自达”）和今仙电机制作所（以下简称“今仙电机”）就包括e-Axle在内的电动汽车电驱动单元中所搭载的逆变器和碳化硅功率模块签署了联合开发协议。 e-Axle是电机、减速器和逆变器一体化的“EV的心脏”，是影响电动汽车行驶性能和功率转换效率的重要单元。 其中，逆变器在驱动中发挥着核心作用，而在提高逆变器的效率方面，碳化硅MOSFET被寄予厚望。 罗姆将参与策划以马自达为中心的“电驱动单元开发与生产的协同合作体系”，并通过与今

　　功率模块的e-Axle用逆变器签署联合开发协议 /

　　什么是功率MOSFET 我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信号流。此外， 二极管 作为开关取决于信号流的方向;我们不能对其编程以通过或屏蔽一个信号。对于诸如“流控制”或可编程开关之类的应用，我们需要一种三端器件和双极型 三极管 。我们都听说过Bardeen & Brattain，是他们偶然之间发明了三极管，就像许多其它伟大的发现一样。 结构上，它由两个背靠背的结实现(这不是一笔大交易，早在Bardeen之前，我们可能就是采用相同的结构实现了共阴极)，但是，在功能上它是完全不同的器件，就像一个控制发射极电流流动的“龙头”—操作龙头的“手”就是基极电流。双极型三极管因此就是电流受控的

　　的基础知识 /

　　【2024年6月26日，德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司推出600 V CoolMOS™ 8 高压超结（SJ）MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先进特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品 。全新超结MOSFET实现了具有高成本效益的硅基解决方案，丰富了英飞凌的宽带隙产品阵容。该系列产品配备集成式快速体二极管，适用于服务器和工业开关模式电源装置（SMPS）、电动汽车充电器、微型太阳能等广泛应用。 600 V CoolMOS™ 8 600 V QDPAK TSC 这些元件采用SMD QDPAK、TOLL和ThinTOLL 8 x 8封

　　系列， 适用于高成本效益的先进电源应用 /

　　功率半导体器件基础 (（美）巴利加著；韩郑生，陆江，宋李梅等译；孙宝刚审校)

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