在N区两侧扩散两个P+区，形成两个PN结。两个P+区相连，引出栅极g。N体的上下两端分别引出漏极d和源极s。

　　(1)VGS=0时，N型棒体导电沟道最宽(N型区)。有了VDS后，沟道中的电流最大。(2)VGS0时，耗尽层加宽(主要向沟道一测加宽)，并向沟道中间延伸，沟道变窄。当VGS

　　加上负VGS电压和VDS电压以后，VGD的负压比VGS大，所以，二个反偏PN结的空间电荷区变得上宽下窄，使沟道形成楔形。

　　JFET通过VGS改变半导体内耗尽层厚度(沟道的截面积)控制iD，称为体内场效应器件;MOSFET主要通过改变衬底表层沟道的厚度来控制iD，称为表面场效应器件。JFET的伏安特性(以N沟道JFET为例)：伏安特性曲线和电流方程与耗尽型MOSFET相似。但VGS必定要反向偏置。