MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系。 可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。 不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。 开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上， 是主要电力电子器件中最高的。 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中 需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。 开关频率越高，所需要的驱动功率越大。

　　按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导 电沟道。 增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于 （小于）零时才存在导电沟道。 电力MOSFET主要是N沟道增强型。 DATASHEET

　　全面介绍各种主要电 力电子器件的基本结 构、工作原理、基本 特性和主要参数等。

　　导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别。 采用多元集成结构，不同的生产厂家采用了不同设计。

　　漏极电流ID和栅源间电压 30 UGS的关系称为MOSFET 20 的转移特性。

　　截止区（对应于GTR的截止区） 50 饱和区（对应于GTR的放大区） 40 非饱和区（对应GTR的饱和区） 30