联合碳化硅UJ3N JFET晶体管是高性能的SiC常开结栅场效应晶体管，可选电压范围从650V到1700V。本系列展览超低电阻(R (DS(上))),低至25 毫欧,低门(路上)允许收取低传导,降低了开关损耗。在VGS = 0V时，器件具有低R(DS(ON))的常开特性，对于不需要主动控制的电流保护电路也是非常理想的。UJ3N JFET晶体管也常被用于与Si-MOSFET串联，作为强大的“超级caspcodes”，这提供了宽带隙技术的所有优势，非常高的工作电压和容易的栅极驱动。