根据沟道导电类型的不同，每类 FET 又可分为 N 沟道器件 和 P 沟道器件。

　　JFET 和 MESFET 的工作原理相同。以 JFET 为例，用一个低掺 杂的半导体作为导电沟道，在半导体的一侧或两侧制作 PN 结， 并加上反向电压。利用 PN 结势垒区宽度随反向电压的变化而变 化的特点来控制导电沟道的截面积，从而控制沟道的导电能力。 两种 FET 的不同之处仅在于，JFET 是利用 PN 结作为控制栅， 而 MESFET 则是利用金- 半结（肖特基势垒结）来作为控制栅。

　　这表明沟道中的等位面是⊥y方向的~沟道宽度缓变; 于是沟道电流主要受E(y)控制,

　　工作 ~ [ 电压控制沟道的电阻 ] Rmin = L / 而且沟道越短, 这种电流的

　　变~缓变; 于是栅结势垒宽度只受E(x)控制, 求解其中的Poisson方程即

　　微米，栅氧化层厚度100nm，铝栅电极，AL－SiO2－Si。 • 1972年，CMOS技术以低功耗等优点在大规模生产的LED电

　　路中采用。 • 1980 MODFET调制掺杂型场效应晶体管，会是最快的场效

　　应晶体管。 • 2001 15nmMOSFET最先进的集成电路芯片的基本单元，可

　　衬底是低阻n型; 2个对称的pn结构成栅极; 中间留有 其中最大饱和漏极电流IDSS（VGS＝0）

　　在夹断区, 该近似不适用(因Ey不再缓变); 对短沟道器件, 该近似也不适用(GCA只适用于长沟道器件) . 降低 gm (如采用缓变沟道);

　　* 沟道夹断后的饱和电流IDsat ~ 把饱和电压VDSat代入到ID , 即得到

　　通过加在半导体表面上的垂直电场来调制半导体的的现象 称为场效应。场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET） 是另一类重要的微电子器件。这是一种电压控制型多子导电器 件，又称为单极型晶体管。这种器件与双极型晶体管相比，有 以下优点：

　　① 输入阻抗高； ② 温度稳定性好； ③ 噪声小； ④ 大电流特性好； ⑤ 无少子存储效应，开关速度高； ⑥ 制造工艺简单； ⑦ 各管之间存在天然隔离，适宜于制作 VLSI 。