在双极型晶体管中，载流子包含电子运动，也包含空穴运动，像两股力量一般流向两个极；

　　而在场效应管中，只有一种载流子运动，或者电子或者空穴，流向一个极，因此叫单极型晶体管。

　　JFET工作电流很小，适合于模拟信号放大，分为N沟道和P沟道两种。与双极型晶体管中的NPN和PNP类似，N沟道和P沟道仅是工作电流的方向相反。

　　在市面上EMOS比DMOS的产品数量要多很多。所以我们也主要学习EMOS。下文如无特别说明，MOSFET均指的是增强型MOSFET。

　　上图为一个增强型NMOS器件的物理结构（源极与衬底极相连，图中未体现）。

　　用P型硅片作为衬底（Substrate ，用U表示），期间扩散出两个高掺杂的N+区，分别称为源区和漏区，他们各自与P区衬底形成PN+结。

　　衬底表面生长着一层薄薄的二氧化硅的绝缘层（即阴影区域），并且在两个N+区之间的绝缘层上覆盖一层金属（目前，广泛用多晶硅poly取代金属）,其上引出的电极称为栅极（Gate，用G表示）。

　　而自源区和漏区引出的电极分别称为源极（Source，用S表示）和漏极（Drain，用D表示）。

　　其实在MOSFET中，由于衬底极和源极在内部已经连通，甚至很多MOSFET内部还在D、S之间并联了一个二极管，此时D和S不能互换。

　　正常工作时，所有场效应管的门极，都没有电流。因此，其漏极电流一定等于源极电流。

　　场效应管的核心原理是，GS两端的电压，控制漏极电流iD。因此其也被称为“压控型”器件。而双极型晶体管BJT属于流控型器件，即iB控制iC。

　　不论增强型或耗尽型场效应管，对于N沟道器件，iD为电子电流，因此UDS必须为正值。为了保证PN结反偏，衬底必须接在电路中的最低电位上。对于P沟道器件，iD为空穴电流，因此UDS必须为负值。为了保证PN结反偏，衬底必须接在电路中的最高电位上。

　　我们无法像BJT一样，研究JFET的输入电压UGS与输入电流iG的关系，因为JFET有极高的输入阻抗，iG近似为0。所以只能研究输入电压UGS与输出电流iD的关系，称为转移特性；输出电压UGDS与输出电流iD的关系，称为输出特性。

　　其实，转移特性曲线和输出特性曲线是冗余的。换言之，我们可以从一个图绘制出另外一个图。方法也很简单，比如我们在右图中，在UDS=6V位置，画一根纵线，它和多根曲线相交，得到的点，绘制出来就是左图（标注UDS=6V）的曲线V的位置，画一根纵线，在左图中就会得到不同的转移特性曲线V绿线）。

　　JFET的工作状态比较复杂。在正常工作时，它可以工作在截止区、可变电阻区以及恒流区。除此之外，它还有异常工作状态，比如对N沟道JFET而言，UGS大于0V的状态。

　　很多电路中JFET的S和D是没有标注的，因此，我们需要学会区分电路中的JFET的S源极和D漏极。

　　MOSFET的工作状态相对较简单。它的D和S是明确区分的，严禁接反。因此。

　　本文主要介绍了场效应管的历史、分类、电路符号以及如何判断场效应管工作状态的基础知识。

　　场效应管的核心原理是，GS两端的电压，控制漏极电流iD。因此其也被称为“压控型”器件。而双极型晶体管BJT属于流控型器件，即iB控制iC。