过去50多年来，半导体行业都深受摩尔定律的影响，这一黄金定律引领着芯片技术的进步，不过近年来摩尔定律也被认为落伍了，作为铁杆捍卫者的Intel现在站出来表示摩尔定律没死，2030年芯片密度就提升到1万亿晶体管，是目前的10倍。

　　在上周的Hotchips 2022会议上，Intel CEO基辛格做了主题演讲，他提到先进封装技术将推动摩尔定律发展，将发展出System on Package，简称SOP，芯片制造厂提供的不再是单一的晶圆生产，而是完整的系统级服务，包括晶圆生产、先进封装及整合在一起的软件技术等。

　　根据基辛格所说，目前的芯片最多大概有1000亿晶体管，未来SOP技术发展之后，到2030年芯片的密度将提升到1万亿晶体管，是目前的10倍。

　　不过要想实现10倍的晶体管密度提升，还要有技术突破，目前在用的FinFET晶体管技术已经到了极限，Intel将会在2024年量产的20A工艺上放弃FinFET技术，转向RibbonFET及PowerVIA等下一代技术。

　　根据Intel所说，RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体管的实现，它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。

　　PowerVia是Intel独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。

　　关键字：FinFET引用地址：Intel预告万亿晶体管芯片时代：FinFET将被淘汰

　　上一篇：中国集成电路设计创新大会暨IC应用博览会（ICDIA 2022）在无锡成功召开！

　　过去50多年来，半导体行业都深受摩尔定律的影响，这一黄金定律引领着芯片技术的进步，不过近年来摩尔定律也被认为落伍了，作为铁杆捍卫者的Intel现在站出来表示摩尔定律没死，2030年芯片密度就提升到1万亿晶体管，是目前的10倍。 在上周的Hotchips 2022会议上，Intel CEO基辛格做了主题演讲，他提到先进封装技术将推动摩尔定律发展，将发展出System on Package，简称SOP，芯片制造厂提供的不再是单一的晶圆生产，而是完整的系统级服务，包括晶圆生产、先进封装及整合在一起的软件技术等。 根据基辛格所说，目前的芯片最多大概有1000亿晶体管，未来SOP技术发展之后，到2030年芯片的密度将提升到1万亿

　　将被淘汰 /

　　在Synopsys 的协助下，台湾联电(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶体管技术的测试用芯片日前完成了流片。联电公司早前曾宣布明年下半年有意启动14nm制程FinFET产品的制造，而这次这款测试芯片完成流片设计则显然向实现这一目标又迈进了一步，当然流片完成之后还需要对过程工艺等等项目进行完善和改进，还有大量工作要做。 近年来，在台积电，Globalfoundries，三星等老牌代工商的冲击下，联电在代工行业的排名一再下跌，更何况Intel也开始染指代工市场。在之前一轮的28nm HKMG制程技术竞赛中，联电便落在了台积电的后面，所幸联电后来与IBM技术发展联盟达成了协议，要共同开发14/10nm级别FinFET

　　流片 /

　　6月17日早间消息，台积电在今日举办的2022技术论坛上，首度推出下一代先进制程N2，也就是2nm。技术指标方面，台积电披露，N2相较于N3，在相同功耗下，速度块10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%，开启高效能新纪元。 就纵向对比来看，2nm之于3nm的提升，似乎不如3nm之于5nm，包括但不限于性能、功耗、密度等所有核心参数。 在微观结构上，N2采用纳米片电晶体（Nanosheet），取代FinFET（鳍式场效应晶体管），外界普遍认为，纳米片电晶体就是台积电版的GAAFET（环绕栅极晶体管）。 台积电还表示，N2不仅有面向移动处理器的标准工艺，还会有针对高性能运算和小芯片（Chiplet）的整合方案。

　　功耗降低30% /

　　近日，中国集成电路设计业2021年会暨无锡集成电路产业创新发展高峰论坛（ICCAD 2021）举行。 据媒体报道，会上，台积电南京公司总经理罗镇球表示，台积电将于明年3月推出5nm汽车电子工艺平台，汽车工艺产品会符合所有汽车安全规则。 同时，他还透露，台积电将在2nm节点推出Nanosheet/Nanowire的晶体管架构并采用新的材料。 罗镇球最后表示台积电从今年开始大幅提升资本开支，在2021年-2023年，会在已扩产的基础上投资超过1000亿美元。 Nanosheet/Nanowire晶体管应该取代的是FinFET（鳍式场效应晶体管），不同于三星在3nm上直接上马GAA（环绕栅极晶体管），台积电3nm（至少第

　　半导体技术发展史的本质就是晶体管尺寸的缩小史。从上世纪七十年代的10微米节点开始，遵循着摩尔定律一步一步走到了今天的5纳米。在这一过程中，每当摩尔定律遭遇困境，总会有新的技术及时出现并引领着摩尔定律继续前行。自22纳米节点上被英特尔首次采用，鳍式场效应晶体管（FinFET）在过去的十年里成了成为了半导体器件的主流结构。然而到了5纳米节点之后，鳍式结构已经很难满足晶体管所需的静电控制。其漏电现象在尺寸进一步缩小的情况下急剧恶化。因此，半导体行业急切需要一个新的解决方案在未来节点中替代鳍式晶体管结构。 尽管各种新型晶体管方案不断地被提出，然而工业界真正青睐的是能够允许他们继续使用现有设备以及技术成果的方案。正是基于这一原因，

　　22nm以后的晶体管技术领域，靠现行Bulk MOSFET的微细化会越来越困难的，为此，人们关注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件与基于立体通道的FinFET。由于这些技术都不需要向通道中添加杂质，易于控制特性的不均现象，因而成了22nm以后晶体管技术的有力候选。而且前者还具有能够采用与此前相同的电路布局进行设计的特点。后者虽要求采用新的电路布局及工艺技术，但有望比前者更加容易实现微细化（高集成化）。两种技术以各自特色为宣传重点，开始激烈争夺新一代技术的宝座。在 “2010 Symposium on VLSI Technology”（2010年6月15～17日，在美国夏威夷州檀香山举行）上，似乎为了显示人们对二者

　　3月初，供应链消息称中芯国际已获得部分美国设备厂商的供应许可，主要涵盖成熟工艺用半导体设备等。随着美国对中芯国际放松限制，消息人士透露，该公司正在努力重新获得订单，特别是其14nm FinFET工艺订单。 据悉，中芯国际最近披露了与ASML达成价值12亿美元订单的交易，该订单是基于两家公司深紫外光刻（DUV）设备的扩展合同。 digitimes报道指出，消息人士称ASML仍不能将EUV设备售卖给中芯国际，因为其许可证正在等待美国政府官员的批准。尽管如此，中芯国际正在加紧准备，以提高14nm及以上工艺技术的销售量。 据报道，中芯国际已将其14nm FinFET工艺良率提高到了台积电的同类工艺所达到的水平。不过消息人士强调中芯国际

　　中国一站式 IP 和定制芯片企业芯动科技（INNOSILICON）发布：已完成全球首个基于中芯国际 FinFET N+1 先进工艺的芯片流片和测试，所有 IP 全自主国产，功能一次测试通过。 官方介绍称，自 2019 年始，芯动在中芯 N+1 工艺尚待成熟的情况下，团队投入数千万元设计优化，率先完成 NTO 流片。基于 N+1 制程的首款芯片经过数月多轮测试迭代，助力中芯国际突破 N+1 工艺良率瓶颈。 芯动科技与全球知名代工厂已有多年国产 IP 生态共建的合作，为大量国内和全球客户实现从成熟工艺（55nm、40nm、28nm、22nm 等)到先进工艺（如 FinFET 14nm、12nm、7nm 等）的不断跨越，在

　　问市 /

　　封装

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