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龙8中国唯一官方网站格兰菲智能科技申请绝缘栅双极性晶体管相关专利提高 IGBT 管的耐压性

作者:小编    发布时间:2024-10-28 01:34:54    浏览量:

  金融界 2024 年 10 月 22 日消息,国家知识产权局信息显示,格兰菲智能科技股份有限公司申请一项名为“绝缘栅双极性晶体管及其制备方法、电子设备”的专利,公开号 CN 118763097 A,申请日期为 2024 年 7 月。

  专利摘要显示,本申请涉及一种绝缘栅双极性晶体管及其制备方法、电子设备,绝缘栅双极性晶体管包括:第一导电类型的衬底;多个栅极结构,间隔设置在第一导电类型的衬底内,栅极结构包括栅氧化层、第一半导体掺杂层和第二半导体掺杂层,第一半导体掺杂层设置在第二半导体掺杂层上,栅氧化层设置在第一半导体掺杂层的侧壁、第二半导体掺杂层的底部和侧壁,第一半导体掺杂层具有第一导电类型,第二半导体掺杂层具有第二导电类型,第一导电类型和第二导电类型相反。第二半导体掺杂层与第一半导体掺杂层结合形成反向 PN 结,在栅氧化层底部被击穿后,该 PN 结可以承受反向电压,避免第一半导体掺杂层与衬底短路,IGBT 管失效的情况的发生,提高了 IGBT 管的耐压性。


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