【环球网 记者 陈超】“新基建”不同于传统基础设施的工程建设，更多是利用互联网、物联网技术，实现对生产要素的“重建”。“新基建”主要涉及“5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心、人工智能、工业互联网”七大领域。

　　新基建带来新机遇。8月12日，吉林华微电子在北京举行了“新基建-芯片制造的新风口”华微电子京媒交流会上，华微电子产品总监杨寿国表示，无论是5G、大数据中心还是充电桩、互联网，都离不开半导体芯片这个基础性和先导性产业的支撑，所以身处这七大领域的公司迎来了绝佳的发展机遇。

　　4月20日召开的国家发改委新闻发布会上，国家发改委首次明确了“新基建”的范围，包括信息基础设施、融合基础设施、创新基础设施三个方面。

　　中国工程院院士、清华大学材料科学与工程系教授周济表示，“新基建”三个方面都与科技创新密切相关，具有鲜明的科技特征和科技导向，尤其是将创新基础设施明确列入范围，更是凸显了科技创新在“新基建”中的特殊使命和重要地位。“新基建为推动我国信息产业的源头创新提供了难得的历史机遇。”周济说。

　　无论是5G、大数据中心还是充电桩、互联网，都离不开半导体芯片这个基础性和先导性产业的支撑。针对功率半导体器件，在新基建中的机遇，杨寿国认为主要是三个方面。

　　一是功率半导体器件在新基建中不可或缺，功率半导体器件是电能转换的核心，是“新基建”的“心脏” ；二是新基建的七大领域，给半导体芯片带来了更加丰富的应用场景和更大的市场需求，同时再叠加上目前半导体产业结构的机遇，本土功率半导体器件需求将趋于旺盛；三是促进了芯片国产化进程，新的应用场景，同样对芯片提出新的要求，需要更优质的芯片进行匹配，这就促进了国产芯片技术的进步和迭代，是我们在半导体行业最有希望能够打破国外垄断的突破口，率先实现弯道超车。

　　据悉，目前，华微电子拥有功率半导体器件4英寸晶圆生产线英寸生产线 英寸生产线 英寸生产线 年，华微电子生产功率半导体晶圆 400万片。

　　作为松下、 日立、 海信、 创维、美的、长虹等国内外知名企业的配套供应商，华微电子一位负责人在会上表示：“半导体芯片作为‘新基建’领域的底层支撑，叠加半导体产业化的结构机遇，本土功率半导体芯片需求将趋于旺盛。”

　　本次京媒交流会上最大亮点，是华微电子向媒体着重介绍的新能源汽车上的核心器件——系列IGBT产品。正在研发的DSC双面模块，可大幅度缩小电机控制器的体积，提高新能源汽车的续航里程，这也是消费者最关心的痛点之一。

　　IGBT模块是新能源汽车动力系统的核心器件，华微电子针对新能源汽车开发的系列IGBT产品，均采用先进的TRENCH+FS结构设计和超薄片工艺技术，目前650V和1200V系列IGBT模块，最大电流800A，公司正在研发DSC双面散热模块，此模块同时集成了温度和电流传感，能够进一步降低新能源汽车控制器体积，降低整车损耗，提升整机效率，提高续航里程。

　　华微电子产品覆盖了功率半导体所有分支。研发和销售的产品包含 IGBT、功率 MOS、快恢复二极管、可控硅、 JFET 晶体管、功率集成电路等。经科技部、中科院等国家机构认证，华微电子被列为国家博士后科研工作站、国家创新型企业、国家企业技术中心、 CNAS 实验室。 2001年 3月 16日，公司在上海证券交易所 A股主板上市(股票代码为 600360)。

　　在本次京媒交流会上，华微电子还重点介绍了其产品在新基建领域的各种关键应用。

　　新能源汽车充电桩，我国新基建将大力发展新能源汽车，与之配套的新能源汽车充电桩需求不断增加。华微电子在充电桩领域，三相维也纳输入整流（PFC）部分可以使用FRED和超结MOSFET，在LLC谐振电路可以使用超结MOSFET，在输出输出整流部分可以提供FRD和SiC SBD的解决方案。

　　服务器电源，是新基建中的大数据中心建设中不可或缺的重要支撑，数据中心服务器的电源和输出整流部分，需要大量的超结MOS和中低MOS器件。华微电子的600~650V超结MOS导通电阻可以做到35毫欧，中低MOS电阻可以做到2毫欧，能够高效率的电力转换，数据中心建设提供有力支撑。

　　5G基站，5G网络建设的基础是5G基站的大规模建设，根据工信部数据显示，2019年我国自正式启动5G商用，全国开通的5G基站12.6万个，预计2020年将建设超过60万~80万个5G基站， 5G通信电压在PFC、DC/DC、同步整流、电池保护部分功率半导体器件不可或缺，华微电子可以提供超结MOSFET、中低压MOSFET和SiC产品。

　　工业互联网，是把人、数据和机器连接起来，是工业革命的第三次浪潮；华微电子致力于工业变频应用的功率器件的制造与研发，为中国工业互联网的发展提供坚实的中国制造基础。能够提供包括IGBT、IPM、PM模块和MOSFET产品的解决方案。