金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，成都蓉矽半导体有限公司申请一项名为“一种集成高速续流二极管的碳化硅异质结MOSFET”的专利，公开号CN 118841436 A，申请日期为2024年6月。

　　专利摘要显示，本发明提供了一种集成高速续流二极管的碳化硅异质结MOSFET，涉及MOSFET器件技术领域，目的是实现便于调节体二极管导通损耗和反向恢复损耗比例的MOSFET结构，MOSFET的底部包括背面金属、N型碳化硅衬底和N型碳化硅外延层；MOSFET的中部包括多个P型掺杂碳化硅源区、多个P型掺杂碳化硅埋层、多个P型掺杂硅源区、多个P型掺杂硅井区、多个N型掺杂硅源区、多个硅二极管通道和N型硅外延层；MOSFET的顶部包括层间介质、第一多晶硅栅、第二多晶硅栅、源极金属和第一多晶硅栅欧姆接触。本发明具有不需要改变器件版图即可实现调节体二极管导通损耗和反向恢复损耗比例的优点。

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