1nm之后应该做什么？ ？我们不要对321这个数字过于谨慎。纳米的数量是没有意义的。它只是代表了一个时代。这项技术始终有其局限性。我相信未来10年我们不仅会把晶体管做成三维的，甚至会把电路设计成两层、三层，叠加在同一个晶圆上。 ，这种方法可以进一步增加晶体管的数量。芯片技术的更新迭代取决于晶圆中晶体管的堆叠级别。目前的发展趋势是在相同尺寸的晶圆上，或者在更小的晶圆上设计更多的晶体管。

　　教授于1999年开发的Fin FET技术。该技术有效改善了电路控制和漏电，并缩短了晶体管的栅极长度，以便将来可以堆叠更多的晶体管。该技术被台积电、三星等国际大厂采用。直到现在，大厂商量产的先进工艺芯片仍然选择使用这种技术。不过，据消息人士透露，三星的第二代3nm工艺和即将推出的2nm工艺将采用GAA FET技术。GAA FET 的控制性能比 Fin FET 更好，但成本也很高。不仅

　　工艺复杂，而且成品率很低。这项技术现在是台积电和三星竞相叫停的技术项目。不过为了稳定性，台积电在为苹果制造a17pro芯片时，仍然选择使用之前的Fin FET技术。虽然良率较高，出货量能够得到保证，但在业绩增长和功耗控制方面，仍达不到消费者的预期。也被很多人称为“挤牙膏”。三星的情况与台积电类似。三星比台积电早半年掌握了GAA FET技术，但三星尚未将该技术应用到消费产品中。一方面，台积电的工艺相对稳定，功耗控制较好，所以合作伙伴选择与台积电合作。另一方面，三星本身对这项技术还没有信心。自家的Exynos2400芯片全部选择使用Fin FET。技术4nm工艺。(来源:(来源:(

　　来源:(来源:(来源:(来源:(来源:(来源:(来源:(来源:各家公司的发展目前掌握核心技术的两大代工厂商是台积电和三星。这两家公司在晶圆加工领域拥有深厚的技术基础。中国发展最好的晶圆公司是中芯国际，但中芯国际无法获得高端制造设备。因此，中芯国际掌握了先进的工艺技术，但无法进行制造测试。唯一的选择就是继续打磨旧工艺，或者采用n+1的方式，尽可能的增加芯片中的晶体管数量。未来的发展趋势一定是晶体管叠加技术。苹果已经在 m1 ultra 上进行了测试，封装了两个 m1 max 并重新设计了内部元件和集成电路，以实现更强的性能。芯片堆叠技术。该技术的优点是可以大幅提升性能，缺点是需要重新设计内部设计。如果设计水平出现偏差，这个产品的功耗就会变得不可控。不过，从苹果m1 ultra和m2 ultra两代产品来看，苹果的设计水平和优化水平已经处于行业顶尖水平，甚至明显超过了英特尔和AMD产品的功耗。同一时期。还拥有最新的华为麒麟芯片。在国内外媒体机构的细分中，得出的结论是麒麟9000s和麒麟9010相当于7nm工艺芯片。虽然说相当于7nm，但实际的制造工艺水平并没有达到7nm的水平。而且这两款芯片都支持超线程，相当于在手机中使用服务器上的芯片。软件系统必须重新优化适配，技术难度大，工作量大。这是突破工艺限制、尽可能平衡产品性能和能耗的唯一途径。

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