金融界 2024 年 8 月 28 日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“集成电路及其形成方法“，公开号 CN3.9，申请日期为 2024 年 4 月。

　　专利摘要显示，本申请的实施例提供了一种集成电路，该集成电路包括：衬底；以及晶体管，晶体管包括：多个沟道，垂直堆叠在衬底之上；源极/漏极区域，与沟道接触；硅化物层，与源极/漏极区域的顶表面接触，与源极/漏极区域的侧壁接触，并且延伸至低于沟道中的至少一个沟道；和源极/漏极接触件，与硅化物层的顶表面接触，与硅化物层的侧壁接触，并且延伸至低于沟道中的至少一个沟道。本申请的实施例还提供了形成集成电路的方法。