在过去的十年里，对于体积更小、密度更高、性能更强大的芯片的需求一直在推动半导体制造商从平面结构向越来越复杂的三维(3D)结构转型。原因很简单，垂直堆叠可以实现更高的密度。

　　使用3D架构来支持先进逻辑和存储器应用代表了半导体行业下一个重要的技术拐点。非易失性存储首先实现了这一技术拐点，泛林集团的刻蚀和沉积工具持续走在这一创新的前沿。芯片制造商正在积极努力，争取在未来12-24个月内将逻辑器件的结构转型到环栅(GAA) ，并将目光放在3D DRAM上。

　　如今，GAA已被广泛认为是先进逻辑器件中finFET结构的的替代品，它的设计可以支持下一代及以后世界上最强大的处理器。在这种改进的晶体管结构中，栅极360度环绕接触沟道，以实现持续微缩。GAA晶体管的载流能力是通过纳米片或纳米线的垂直堆叠结构、并让栅极材料包裹通道来增加的。纳米片的尺寸可以微缩，这样晶体管的大小就可以根据所需的应用来调整。

　　GAA在概念上可能很简单，但如此结构的器件却给半导体制造带来了巨大的挑战。有些围绕着结构的制造展开，另一些则涉及到实现微缩目标所需的新材料。其中主要的挑战在于，构建复杂的结构时，必须铺设不同的层，并在之后的步骤中移除其中某些特定元素，比如以原子级的精度移除SiGe。

　　为了应对这些挑战，我们认为早期的选择性刻蚀方法已经无法满足需求，需要新的工艺和能力来构建更高密度、更高和更强大的结构。选择性一直是刻蚀工艺的重要属性，然而，创建能够驱动未来数字技术和设备的先进3D架构需要原子级别的超高选择性和精确度来制造非常复杂的晶体管结构。

　　泛林集团不断创新，助力芯片行业为实现3D架构的下一次飞跃而努力。通过与客户密切合作，我们开发了一套最前沿的全新选择性刻蚀设备，可支持下一代先进逻辑器件的开发，不久还将用于3D DRAM等先进存储器应用程序的开发。

　　我们很自豪能与我们的客户携手引领3D技术的拐点，进而通过半导体技术的力量推动社会向前发展，创造一个更智能、更互联的世界。

　　关键字：引用地址：泛林集团的选择性刻蚀设备组合正在推进芯片行业下一个重要的技术拐点

　　03/25/2011——盛群半导体推出HT48R068B、HT48R069B与HT46R068B、HT46R069B大容量MCU。HT4xR068B ROM为16kx16、RAM为512 Bytes、HT4xR069B ROM为32kx16、RAM为1kBytes；HT4xR068B与HT4xR069B内建有16个通道的12-bit A/D、4个通道的8-bit PWM、1个通道的12-bit D/A与串行传输接口SPI/I2C，可减少外围零件、缩小PCB Size及降低成本，非常适合家电类、工业类与小型微控制系统的应用。 HT4xR068B与HT4xR069B的特点在于全系列工规(-40~85℃)、工作

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　　网易科技讯 11月20日消息，华尔街日报发布文章称，科技产品下一个重大突破将在芯片堆叠领域出现。   Apple Watch采用了先进的的3D芯片堆叠封装技术 作为几乎所有日常电子产品最基础的一个组件，微芯片正出现一种很有意思的现象。通常又薄又平的微芯片，如今却堆叠得像薄煎饼那样，由二维变成三维——给电子设备带来重大的影响。 芯片设计师们正在发现那种堆叠方式可在性能、能耗和功能上带来各种意想不到的好处。 没有这种技术，苹果智能手表Apple Watch也就无法做出来，三星最先进的固态存储器、来自英伟达和谷歌的人工智能系统和索尼超级快速的新型相机也不例外。 这种3D堆叠类似于城市规划。没有它的话，随着产品需要内置更多的零部件，

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　　主持人 张洪生 对话嘉宾 赛灵思亚太区市场营销及应用工程部总监张宇清 飞思卡尔半导体大中国区业务拓展总监殷钢 TriQuint中国区总经理熊挺 恩智浦半导体高性能混合信号和标准器件事业部大中华区市场高级总监 梅润平 iSuppli高级分析师顾文军 编者按 2010年的强势复苏给半导体全行业带来信心。在新的市场形势下，半导体企业如何把握产业脉搏，如何及时调整公司策略迎接新的挑战，如何抓住中国市场?在3月18日，由本报主办的“第五届(2009年度)最受中国市场欢迎的半导体品牌颁奖典礼暨高峰论坛”上，获奖企业高层对上述问题进行了热烈的探讨。本报特精选论坛上的精彩观点

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