研磨、清洗等等，在前面的文章我们简要的介绍了各个工艺流程的细节，这篇文章大致讲解这些工艺流程是如何按顺序整合在一起并且制造出一个MOSFET的。

　　6. 通过刻蚀把没有被覆盖光刻胶的氧化薄膜刻蚀掉，这样把光刻图案转移到晶圆上了。

　　8. 再长一层较薄的氧化膜。之后再通过上面的光刻和刻蚀，只保留栅极区域的氧化膜。

　　11. 在进行光刻清洗覆盖住氧化层和栅极，这样就对整片晶圆进行离子注入，就有了源极和漏极。

　　14. 再在刻蚀的地方进行金属的沉积，这样就有了源极、栅极和漏极的导电金属线了。

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　　(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的缩写，是一种用于电子电路中的半导体器件

　　是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大，基极上的电流就要增大，但是基极上的电流是无用的。IGBT一般使

　　。由于成本下降，可再生能源系统的使用正在世界范围内扩大。这些系统需要将直流电源转换为电网同步的交流电源。目前，实现这项任务的逆变器是用分立

　　简单、温度特性好等特点，广泛应用于各种放大器、数字电路和微波电路等。基于硅的金属

　　是一种以极其低的特性电阻通过控制门电压，来调节传输通道在正反两端的电压，从而传输电子电路的基本

　　为例) /

　　（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，

　　的分类与特征 /

　　在电子领域中都扮演着重要角色，但它们在结构、工作原理和应用方面存在显著的区别。以下是对两者区别的详细阐述。

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