金融界 2024 年 10 月 23 日消息，国家知识产权局信息显示，南京融芯微电子有限公司取得一项名为“一种沟槽式 MOSFET 的制备方法”的专利，授权公告号 CN 118658788 B，申请日期为 2024 年 8 月。

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