金融界 2024 年 10 月 29 日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“低功耗晶体管及芯片”的专利，公开号 CN 118825058 A，申请日期为 2023 年 4 月。

　　专利摘要显示，本申请实施例提供一种低功耗晶体管及芯片，其中，低功耗晶体管包括衬底、层叠于衬底上的源极、沟道、栅极绝缘层、栅极、以及与源极间隔设置的漏极；其中，在平行于衬底方向上，源极通过沟道与漏极电连接；栅极绝缘层层叠于沟道之上，栅极层叠于栅极绝缘层之上；源极为线状的源极，源极对应的第一个范霍夫奇点 VHS 对应的沟道势垒介于低功耗晶体管的阈值电压和开态电压对应的沟道势垒之间，第一个范霍夫奇点 VHS 与源极的本征费米面 E 之间的差值在预设范围之内实施本申请实施例可以降低晶体管功耗。

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