金融界2024年12月10日消息，国家知识产权局信息显示，江苏华创微系统有限公司申请一项名为“一种适用于带隙基准的零温度系数欠压保护电路”的专利，公开号 CN 119093268 A，申请日期为 2024 年 8 月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种适用于带隙基准的零温度系数欠压保护电路，包括5 个增强型 PMOS管、2个增强型NMOS管、3个NPN型晶体管和5个电阻，MP1、MP2和MP3为共栅极结构；Q1与Q2为共基极结构；Q3的集电极连接MP3的漏极，Q3的基极通过R3连接基准电压；MP4的栅极连接MP3的漏极，MP4的漏极连接NM1的漏极；MN1的栅极接VBIAS信号；MP5的漏极接MN2的漏极并连接至VUVLO信号。本发明用共栅极结构的增强型PMOS管优化带隙基准电路，改善缓冲结构，避免使用比较器和耗尽型MOS管，能提供与温度无关的欠压保护，还降低功耗与噪声，提升续航。