金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，杰华特微电子（成都）有限公司申请一项名为“功率器件及降低其寄生PNP效应的方法”的专利，公开号 CN 119108395 A，申请日期为 2024 年 4 月。

　　专利摘要显示，本发明提供的功率器件及降低其寄生PNP效应的方法，功率器件制作在P型衬底中，包括K个晶体管，K个晶体管均为LDMOS结构，每个晶体管的源极形成在P型阱中，漏极形成在N型阱中；当位于功率器件边缘的晶体管的源极到其漏极之间的体二极管导通时，在N型阱中，控制第二位置与第一位置之间存在电压差，基于该电压差阻挡P型阱中空穴的扩散，以降低功率器件中寄生PNP的影响；其中，第一位置为位于功率器件边缘的晶体管的漏极所在的位置；在N型阱中，第二位置与功率器件的边缘的距离小于第一位置与功率器件的边缘的距离。本发明通过上述设置，可以阻挡空穴的扩散，以降低功率器件中寄生的PNP效应，提升功率器件的可靠性。

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