C）。安森美预计交易将在2025年第一季度完成，同时这也意味着Qorvo即将退出SiC市场。

　　近几年Qorvo在碳化硅领域推出不少具有亮点的新品，并且应用涵盖数据中心到电动汽车。今年一季度Qorvo的财报中还显示，SiC功率器件产品已经获得来自AI服务器和数据中心应用的数百万美元订单。

　　2021年11月，Qorvo宣布收购碳化硅功率器件厂商UnitedSiC，当时的Qorvo基础设施和国防产品业务总裁James Klein表示，Qorvo将利用自有渠道和客户关系，扩大UnitedSiC的销售范围，同时将碳化硅器件从传统的服务器和市场，扩展到新能源汽车、充电站，以及可再生资源等基础设施中。

　　而作为此前专注于无线和射频领域的Qorvo，在更早前的2019年，还收购了一家可公司ve-Semi，当时Qorvo的愿景是未来可以将RF和电源管理或功率控制，整合进一颗SoC中，大幅提高集成度。

　　当然，收购Active-Semi，也是为了推动公司业绩的增长。在2019年以前，Qorvo的营收较为稳定，保持在30亿美元左右，而实际上收购了Active-Semi之后，2019年开始Qorvo的营收数据暴增。通过对Active-Semi的收购，在2021到2022财年，Qorvo的营收达到了46.46美元的历史新高。

　　不过，在近两年半导体市场，尤其是消费电子市场下行的阶段，智能手机作为Qorvo的重要市场之一表现不佳，也严重影响到Qrovo的业绩表现。今年10月Qorvo公布的2025财年第三财季业绩指引不及预期，在财报电话会议上，Qorvo总裁Robert Bruggeworth就透露，公司正在考虑退出碳化硅市场。

　　公司认为，退出碳化硅市场能够减少公司运营支出，尽管公司在推动JFET技术上有所进展，但如果采用新的战略替代方案，公司可以利用目前的销售和管理资产创造更大价值。

　　官宣收购UnitedSiC后，安森美表示，这次收购将补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组合，使其能应对人工智能（AI）数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求，还将加速安森美在电动汽车断路器和固态断路器(SSCB)等新兴市场的部署。

　　安森美电源方案事业群总裁兼总经理Simon Keeton表示，“随着Al工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiC JFET将越来越重要。随着Qorvo业界领先的SiC JFET技术的加入，我们的智能电源产品组合将为客户提供多一种优化能耗，并提高功率密度的选择。”

　　值得一提的是，安森美在碳化硅领域目前势头正盛，在最新公布的2024年三季度财报中，得益于碳化硅和传感器在电动汽车市场的表现，整体营收环比增长2%，略高于市场预期。尤其在中国市场上，安森美CEO在财报会议上表示，三季度在汽车业务方面实现5%的环比增长，同时预计在中国碳化硅市场上，2024年全年，安森美的市场份额有望接近50%。

　　而数据中心应用上，安森美在今年的多个展会上，都重点展出了数据中心电源方案，其中SiCMOSFET在提高电源功率密度方面起到了重要作用。安森美表示，在数据中心应用的多相控制器和智能电源模块等产品，已经在英伟达ARM的服务器设计中使用，预计2025年开始为公司贡献收入。

　　目前Qorvo的碳化硅产品主要包括SiC SBD、SiC FET、SiC JFET、功率模块等，同时也是业内唯一基于JFET来打造SiC FET产品的公司。

　　前面安森美也提到“随着Al工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiC JFET将越来越重要”，所以SiC JFET实际上与目前安森美发力的数据中心电源市场是有较高的契合度。

　　那么SiC JFET有什么优势？FET场效应管一般分为两类，一种是我们熟悉的MOSFET，也就是金属氧化物场效应管，而另一种就是JFET，也就是结型场效应管。

　　MOSFET是常闭型器件，当栅极没有电压时，漏极和源极是不导通的，需要施加一定的正向电压才会导通；而JFET是常开型器件，当栅极没有电压时漏极和源极是导通的，当栅极与源极之间施加反向电压，源极和漏极之间就会断开。

　　SiC JFET相比SiC MOSFET，有不少优势，首先是可靠性问题。多年以来，SiC MOSFET中的栅极氧化物可靠性一直是各大厂商研究的重点，比如沟槽栅SiC MOSFEET增加氧化层厚度就是解决栅极氧化物可靠性的方向之一。

　　而JFET一般不用栅极氧化物来控制电路，也不存在沟道迁移率降低的问题。所以在可靠性方面，JFET相比MOSFET有很大的优势。不需要负栅极驱动电压，也能够最大限度地减少从硅过渡到碳化硅的难度，降低设计难度。

　　另外，Qorvo独特的共源共栅配置也使SiC JFET能够与低压硅基MOSFET串联工作。在共源共栅配置中，栅极驱动器控制硅基MOSFET的漏-源电压，从而间接驱动高压SiC JFET。这种配置提供了与硅基IGBT、超结MOSFET和SiC功率FET兼容的栅极控制电压范围。因此，传统上用于控制硅基MOSFET和IGBT的栅极驱动器也可以用于驱动SiC功率FET。

　　与此同时，相比SiC MOSFET，SiC JFET具有更低的导通电阻、更低的导通损耗，提供更高的开关速度，更低的开关损耗。与同类型的SiC MOSFET，SiC JFET的尺寸更小，这也能够降造成本和缩小器件尺寸。

　　去年三月，Qrovo发布了一款采用TOLL封装的高功率750V SiC FET，拥有全球最低的导通阻抗，低至5.4mΩ，比市场上同类产品中最好的硅基MOSFET、SiC MOSFET和GaN晶体管的导通阻抗还要低上4-10倍。

　　不过，根据安森美的介绍，SiC JFET不适合用于大功率应用，但在数据中心的应用中，为了提高电源效率，频率更高、损耗更低的SiC JFET就与这些中小功率电源应用较为契合。在收购Qrovo的SiC业务后，也能够与安森美目前的数据中心电源业务更好地配合。

　　SiC市场在过去一年时间中陷入了严重的低价内卷局面，市场出清的过程开始加速。安森美收购Qorvo的碳化硅业务，代表了头部企业在行业竞争加剧的环境中继续补强的决心，未来中小规模的碳化硅厂商是否也会出现更多的被收购案例，值得关注。

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