1月8日消息，日本丰田合成株式会社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功开发出了用于垂直晶体管的 200mm（8英寸）

　　据介绍，与使用采用硅基GaN工艺的横向晶体管相比，采用氮化镓单晶构建垂直晶体管可提供更高密度的功率器件，可用于 200mm 和 300mm 晶圆。然而，制造尺寸大于4英寸的GaN单晶晶圆一直都面临困难。

　　大阪大学和丰田合成的研究人员制造了一种 200mm 的多点籽晶 （MPS） 衬底，并成功地在衬底上生长出对角线mm 的六方 GaN 晶体。这使用了多点籽晶法和Na 助熔剂工艺。

　　多点籽晶法是一种将许多小型GaN籽晶预先分布在大型蓝宝石衬底上，并在晶体生长过程中使生长的晶体熔合在一起的技术。利用该技术可以生产大直径单晶。结合两种方法的特点，将有可能生产出高质量、大直径的GaN籽晶。

　　Na助熔剂工艺是日本东北大学山根久典教授于1996年发明的，通过将镓（Ga）和氮（N）溶解到液态钠（Na）中来生长高质量GaN单晶的技术。由于它是液相生长，因此适合生产高质量的晶体。Na 助熔剂工艺目前已经是一种成熟的高温液相外延（LPE） 工艺。

　　此前，丰田合成就曾成功制造150mm（6英寸）GaN单晶晶圆，此次成功开发出200mm GaN单晶晶圆可谓是又一大突破。

　　据介绍，该200mm GaN衬底可用于生长 600V 垂直 GaN 晶体管，常闭操作，栅极电压阈值超过 2 V，导通状态下最大漏极电流为 3.3 A。此外，它还表现出超过 600 V 的击穿电压和关断状态操作期间的低漏电流。

　　日本环境省正在领导一个 GaN 功率器件广泛应用的项目，丰田合成正在提供底层晶圆以获得理想的 GaN 晶体。该项目的成果之一是，在丰田合成与大阪大学共同开发的 GaN 籽晶上制造 GaN 衬底，使得功率器件性能得到了明显的改善。与在市售衬底上制造的功率器件相比，使用这些 GaN 衬底的功率器件在功率调节能力和良率方面都表现出更高的性能。

　　丰田合成表示，将继续与政府、大学和其他公司合作，尽早推广大尺寸GaN基板。

　　文章出处：【微信号：DT-Semiconductor，微信公众号：DT半导体】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。

　　10月26日，晶升股份凭借其在碳化硅领域的创新技术引起了市场关注。据“证券时报”报道，晶升股份已成功研

　　在划切过程中如何避免崩边 /

　　等第三代半导体而言，它们还有提升空间。   就在9月11日，英飞凌宣布率先

　　的主要材料是半导体材料，这些材料在导电性能上介于导体和绝缘体之间，具有独特的电子结构和性质，使得

　　），近年来在多个领域展现出广泛的应用场景。其出色的高频性能、高功率密度、高温稳定性以及低导通电阻等特性，使得GaN

　　作为两种先进的功率半导体器件，在电力电子、高频通信及高温高压应用等领域展现出了显著的优势。然而，它们在材料特性、性能表现、应用场景以及制造

　　），是近年来在电力电子和高频通信领域受到广泛关注的一种新型功率器件。其结构复杂而精细，融合了多种材料和工艺，以实现高效

　　（GaN）的最新技术进展 /

　　是当今电力电子领域的明星，它正在提高功率转换效率、电机控制和功率密度，有效满足当前的市场需求和趋势。

　　的优势 /

　　芯片 /

　　(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化

　　eIQ Time Series Studio工具使用攻略(三)-工程创建

　　LabVIEW运动控制（一）：EtherCAT运动控制器的SCARA机械手应用

　　Hermes JS Engine专为React Native优化的JS引擎

　　imx6ull 和 lan8742 工作起来不正常, ping 老是丢包