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龙8中国唯一官方网站1012 隧道场效应晶体管(TFET)∈《集成电路产业全书

作者:小编    发布时间:2024-04-26 08:06:54    浏览量:

  (Field Effect Transistor,FET)是一种基于电场控制的电子器件,常用于放大、开关和调制等电子

  (Field Effect Transistor,简称FET)是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。它的主要特点是具有输入电阻高、噪声低、功耗低等优点。

  由设置在基板和基板上的finfet组成。gaafet和/或forksheet

  ”专利 /

  (Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的简称,有时候我们也会简写成MOS。下面是一个典型的MOSFET结构。

  设计基础 /

  电参数指标中规定的电参数一般分为三大类:直流参数、交流参数和极限参数。

  设计过程 /

  (Field Effect Transistor,简称FET)是一种半导体器件,它是一种基于电

  的工作原理和结构 /

  的作用 /

  ),使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。

  的分类 /

  电流的半导体器件,并以此命名。因为它只依靠半导体中的多数载流子来导电,所以又称为单极

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  现在用交流通过整流滤波稳压之后的电压(正负电压),直接给运放进行供电,实现不了。在PSPICE中仿线 阅读


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