据最新消息，台积电日前宣布了20nm平面、16nm FinFET以及2.5D的产品工艺路线蓝图。据称台积电将使用ARM的第一款64位处理器V8来测试16nmFinFET制程，并有望在明年内推出首款16nm制程的FinFET 3D 晶体管。

　　FinFET晶体管，通常也叫3D晶体管，英特尔最近推出的22nm三栅极晶体管也是属于此类晶体管。

　　传统标准的晶体管场效晶体管 (Field-effecttransistor；FET)，其控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。而FinFET则是一种3D结构，全名为FinField-effecttransistor，鳍式场效晶体管。通过类似鱼鳍的叉状3D架构的闸门，来控制电路的接通与断开。

　　台积电表示，20nm以及16nm制程的FinFET工艺，给晶片设计人员带来了极大挑战，尤其是双重图形技术。台积电的发展蓝图大致与竞争对手GlobalFoundries类似，都希望能在明年启动20nm制程，2014开始14nmFinFET制程。

　　从上面的台积电技术路线图可以看到，目前台积电主要的产品还是在28nm制程工艺上，计划在2013年普及20nm制程工艺，而在2013年11月份有望推出16nm制程工艺的 FinFET晶体管。[返回频道首页]