和应用场合各有不同。虽然这两种器件都属于半导体器件，但它们在制造、结构、特性和应用方面有着显著的区别，下面将详细介绍两种器件的主要区别。

　　晶体管是一种三端器件，它由一个p型、一个n型和一个控制电极组成。p型和n型之间通常有一个细小的区域D，称作p-n结。当输入信号加到控制电极时，位于p-n结内的电荷分布会发生变化，使得从p到n的电流大小受控制电极的变化。因此，晶体管也叫做电流受控器件。

　　而场效应管则是一种双极性器件，它由一个氧化层上的栅极和两个掺有不同杂质的导电层（即源和漏）组成。栅极可以通过控制绝缘层上电场的大小、方向和位置来改变导通区域的电荷密度，从而控制源漏之间的电流。因此，场效应管也被称为电压受控器件。

　　晶体管的制造工艺比较复杂，需要多次掺杂和纯化才能形成p-n结。而且因为晶体管的控制极在夹在p-n结中间，因此需要定向掺杂和加工以使控制极尽量与p-n结垂直，以提高工作效果。同时，晶体管在制造过程中要考虑不同的电特性和外部应用条件，需要精确、复杂的生产过程。

　　场效应管的制造工艺相对简单，主要是在硅片表面形成一个绝缘层，然后在其上部分区域加工源和漏，另一区域加工栅极即可。这样制造出来的场效应管数量大，可靠性较高，适合生产大批量的标准化产品。同时，场效应管的分布式结构使得它的封装方式更加灵活，可用于自动化生产线. 工作电压和电流

　　由于晶体管是电流控制型器件，其工作电流较大，通常在几百微安到数毫安之间。而场效应管是电压控制型器件，其工作电流较小，通常只有几十纳安到几百毫安之间。这意味着相同功率下，晶体管需要更高的驱动电压，而场效应管则需要较低的驱动电压，因此在功耗和效率上有所不同。

　　此外，由于晶体管需要夹在p-n结中，所以其工作电压也相对较高，通常在几十伏到数百伏之间。而场效应管则不需要夹在p-n结中，其工作电压较低，通常在几伏到数十伏之间。

　　、调制解调器、计算机处理器等。因其双极性特性，晶体管的开关速度较慢，适合用于低频信号的处理。场效应管常用于高速、高频放大电路、

　　开关和数字逻辑电路中，例如电视机、笔记本电脑手机电子产品。由于其电压控制型特性，场效应管驱动电路简单、速度快，适合用于高频低功耗的电路处理，但其输出电流偏小，不适合用于功率放大或低阻负载驱动。综上所述，场效应管和晶体管有着各自的结构、制造工艺、电特性和应用场合的差别。选择适合的半导体器件能够提高系统的可靠性和效率，同时也带来更好的性能和体验。

　　的电路符号 /

　　能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间

　　分为可变电阻区和恒流区，可变电阻区是靠近纵轴的区域，恒流区是面积最大的那个区域，怎么判断

　　越大，而另一方面，漏源之间电压越大，沟道电阻也越大，两者相互作用，电流不随有很大的变化达到平衡。此时

　　，采用自偏置结构，即栅极和源极短接在一起源极也有一个电阻，在电源和漏极接一个负载，此时

　　可以看做是一个互导放大器，压控电流源，请问此时这种电路的输入输出电阻应该怎么求

　　（Field Effect Transistor，简称FET）和绝缘栅双极型

　　(MOSFET)如何选型呢？ /

　　（FET）是电子元件中最为常见的两种半导体器件。SCR是一种双极型半导体器件，传统应用在直流电路的开关和耦合等方面，而FET则是一种单极型半导体

　　是电子设备中常用的两种元器件，它们都是半导体器件，用于放大和控制电流的流动。虽然它们在某些方面可能

　　工作状态 /

　　的分类及工作原理 /

　　鸿蒙OpenHarmony【小型系统 烧录】（基于Hi3516开发板）

　　【紫光同创盘古PGX-Nano教程】——（盘古PGX-Nano开发板/PG2L50H_MBG324第二章）按键消抖实验例程