器件。它的主要结构由三个电极和一个半导体沟道（指连接源极和漏极的半导体区域）组成。

　　场效应晶体管的三个电极分别是 源极、栅极和漏极 ，它们的功能和双极型晶体管的发射极、基极和集电极类似。源极是输入信号的源头，漏极是输出信号的终点，栅极是控制信号的输入端。

　　源极(source)——source指资源，电源。中文翻译为源极。起发射作用的电极。

　　漏极(drain)——drain意味排出，泄漏。中文翻译为漏极。起集电作用的电极。

　　结型场效应管（JFET） ——是在N型或P型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型或P型沟道的结构。栅极和沟道之间有一个反向偏置的PN结，因此栅极电流很小。

　　金属氧化物半导体场效应管（MOSFET） ——是在N型或P型半导体硅片上覆盖一层金属氧化物（通常是二氧化硅）作为栅极绝缘层，然后在上面制造一个金属或多晶硅作为栅极。栅极和沟道之间有一层绝缘层，因此栅极电流几乎为零。

　　金属半导体场效应管（MESFET） ——是在高迁移率的半导体材料（如GaAs）上制造一个金属与半导体之间的肖特基势垒作为栅极。栅极和沟道之间有一个肖特基势垒，因此栅极电流很小。

　　名词解释：肖特基势垒（英语：Schottky barrier）是指具有整流特性的金属-半导体界面，就如同二极管具有整流特性。肖特基势垒（障壁）相较于PN接面最大的区别在于具有较低的接面电压，以及在金属端具有相当薄的（几乎不存在）耗尽层宽度。肖特基势垒命名自德国物理学家华特·萧特基（Walter Hermann Schottky）。

　　场效应晶体管的 特点是栅极和沟道之间没有直接接触 ，而是 通过电场来控制沟道的导通性， 因此也称为电场效应晶体管。

　　当N沟道型场效应晶体管的栅极接正偏置电压时，在沟道两侧形成两个p型区域，称为反型层。这时沟道中的多数载流子（电子）受到栅极电场的吸引，向反型层靠拢，形成一个导电沟道。栅极电压越高，导电沟道越宽，沟道电阻越小，从源极到漏极的电流越大。因此，栅极电压可以控制沟道电流的大小，从而实现电压控制电流的作用。这种场效应晶体管也称为增强型场效应晶体管。

　　相反，如果栅极接负偏置电压或零偏置电压，则沟道中没有反型层，无法形成导电沟道，从源极到漏极的电流为零。这种场效应晶体管也称为耗尽型场效应晶体管。

　　例如，在模拟电路中，场效应晶体管可以将输入信号的变化转换为输出信号的变化；在数字电路中，场效应晶体管可以作为开关控制逻辑状态的变化；在计算机领域中，场效应晶体管是构成集成电路微处理器的基本单元。

　　场效应晶体管凭借比双极型晶体管更高的输入阻抗、更低的功耗、更小的尺寸和更高的集成度等优点，成为一种被广泛应用的半导体器件。它不仅可以用作射频放大器、运算放大器等信号处理电路中的关键部件，也可以用作液晶显示器、触摸屏、太阳能电池等光电器件中的驱动元件，还可以用作生物传感器、化学传感器、温度传感器等测量设备中的敏感元件，等等。

　　半导体器件是现代电子技术的基石，它们被广泛应用于与我们生活息息相关的各个领域，它们的存在对改善人类的生活质量和提高社会效率有着积极的意义。

　　本文向大家介绍了场效应晶体管的基本概念、结构、工作原理和功能特点，希望能大家对场效应晶体管能有一个初步的认识和了解。

　　作为科普力量的一部分，希望能够通过对半导体知识的普及和传播，让更多的人了解半导体的奥妙和魅力，增强对科学技术的信心和热情。只有当我们对半导体给予了足够的关注，半导体领域的创新和发展才能不断向前推进。

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　　放大电路也有三种组态：共源极放大电路、共漏极放大电路和共栅极放大电路，其特点分别和

　　（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的简称，有时候我们也会简写成MOS。下面是一个典型的MOSFET结构。

　　样，具有放大作用和开关特性的，是电子设备中的核心器件之- -，应用十分广泛。三极

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　　种改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件，属于电压控制性半导体器件，具有输入电阻高，噪声小，功耗低，没有

　　的K值得问题：在研究学习杨建国老师的负反馈和运算放大器基础这本书的时候，发现有

　　个参数不知道什么意思，请大咖们帮忙解惑...Page65 ： K=0.0502A/V*V 这个参数是什么意思呢？多谢！~

　　中，目前常用二氧化硅作金属铝（Al）栅极和半导体之间的绝缘层，称为金属

　　管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道

　　是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型

　　具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点，这就决定了

　　具有噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成等优点，所以在开关电路中迅速走红， 可是

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　　（英语：field-effecttransistor，缩写：FET）是

　　控制电流的电子元件。它依靠电场去控制导电沟道形状，因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性

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　　的最大耗散功率应为放大器输出功率的0.5~1倍,漏源击穿电压应为功放工作电压的2倍以上。

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　　如何搞定恒流电源电路设计.doc第15章_基本放大电路.ppt基于较大功率的直流电机H桥驱动电路方案.doc详细讲解MOSFET

　　，能帮忙指出在哪可以找到吗？谢谢！实在是太菜鸟了，请见谅。能建立下图这种电路就行。

　　本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 编辑 MOS

　　MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor）是金属-氧化物-半导体

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　　款能起良好稳压作用的芯片非常重要。因此在进行开关电源设计时，工程师会更多地考虑使用更优质的

　　种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道

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　　（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是带间隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。

　　随着电子设备升级换代的速度，大家对于电子设备性能的标准也愈来愈高，在某些电子设备的电路设计与研发中，不仅是开关电源电路中，也有在携带式电子设备的电路中都是会运用到性能更好的电子元器件——

　　DS2Y-S-DC5V的管脚。用万用表的R×lk挡，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，则这两个管脚为漏极和源极，余下的一个管脚即为栅极。

　　，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体），FET（FieldEffectTransistor

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　　一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的缩写，称为

　　管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型

　　根据其结构的不同分类，体管（金属氧化物半导体型）两大类。可分为以下5种。可分为结型

　　由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则。

　　。GaAsFET凭借其灵敏性而举世闻名，其形成的内部噪声极少。这主要是由于砷化镓拥有与众不同的载流子迁移率

　　来控制输出电路电流的半导体器件，并以此命名。因为它只依靠半导体中的多数载流子来导电，所以又称为单极

　　），使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。

　　具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点，这就决定了

　　(Field Effect Transistor，简称FET)是一种半导体器件，它是一种基于电

　　电参数指标中规定的电参数一般分为三大类：直流参数、交流参数和极限参数。

　　（Field Effect Transistor，简称FET）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。它的主要特点是具有输入电阻高、噪声低、功耗低等优点。

　　，即在栅极和源极之间施加一个控制电压，使得沟道区域的载流子发生漂移，从而改变电流的导通状态。

　　（Field Effect Transistor，FET）是一种基于电场控制的电子器件，常用于放大、开关和调制等电子电路中。在FET中，栅极电流是其关键特性