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NPN硅双龙8中国唯一官方网站极结型晶体管

作者:小编    发布时间:2024-05-01 03:46:33    浏览量:

  3.4 假设: (采用一维理想模型) 1,e,b,c 三个区均匀掺杂,e,c 结突变, 2,e,c 结为平行平面结,其面积相同,电流垂直结平面 3,外电压全降在空电区,势垒区外无电场,故无漂移电流 4,e,c 区长度>>少子 L,少子浓度为指数分布(随 x)

  本次,我们主要研究设计 NPN 轨双极结型晶体管 3. 方案设计与分析 3.1 NPN 晶体管基本结构分析

  如上图所示,由两个相距很近的 PN 结组成,基区宽度远远小于少子 扩散长度,以上是 NPN 形式。 双极型晶体管基区中的电流传输过程与杂质分布形式有极密切的关 系。 均匀基区晶体管:基区杂质浓度为常数。低注入下基区少子的运动形 式为扩散。 缓变基区晶体管:基区掺杂浓度随位置变化。低注入下基区少子的运

  基区尾部、靠近集电结势垒边缘处的电子(少子)被抽出、使得该处的 电子浓度=0。但是如果是在大电流工作时,由于注入的电子浓度很大, 所以这时在基区尾部、集电结势垒边缘处,电子(少子)浓度实际上并 不为 0,而是等于 Jc/(qvs),其中 Jc 是集电极电流密度,vs 是电子的 饱和漂移速度(接近电子的热运动速度,~106s/cm);在这种情况下, 电子在中性基区内虽然被空穴所中和,但电子在进入到集电结耗尽层 内后却增加了耗尽层中的负电荷,从而在集电结电压 Vbc 不变时, 就将使得集电结的负空间电荷层变窄(正空间电荷层相应变宽),这就 导致基区变宽;进一步,若集电极电流密度 Jc 增大到 Jc/(qvs)Nc 时 (Nc 是集电区的掺杂浓度),则集电结的负空间电荷层将推移到集电

  5,Xm<<少子 L,忽略势垒复合及产生, 6,满足小注入条件 7,不考虑基区表面复合

  动形式既有扩散也有漂移。 双极晶体管有四种工作模式,相应地称为四个工作区。令

  开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关, 基于输入的电压,控制流出的电流。 2. 综述

  按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体 管。按晶体管的极性可分为锗 NPN 型晶体管、锗 PNP 晶体管、硅 NPN 型晶体管和硅 PNP 型晶体管。结型晶体管凭借功耗和性能方面 的优势仍然广泛应用于高速计算机、火箭、卫星以及现代通信领域中。

  结论:集电极电流由基极和发射极之间的电压控制,这就是晶 体管的工作原理 发射极电流:

  一是由从发射区注入到基区的电子电流形成的(iE1);二是由基 区的多子空穴越过 B-E 结注入到发射区(iE2),它也是正偏电流,表 达形式同 iE1

  顺利多了,通过这次课程设计的报告的研究探讨,让我感受到了课堂 知识应用于实践的欣慰! 6.参考文献

  《半导体器件物理》.刘树林等编著,电子工业出版社,2005 年 《半导体器件基础》.爱德华·S·杨著,人民教育出版社,1981 年 《半导体器件物理》.孟庆巨等编著,科学出版社,2010 年 《半导体器件物理学习与考研指导》.孟庆巨等编著,科学出版 社,2010 年

  运动形式为扩散。 缓变基区晶体管:基区掺杂浓度随位置变化。低注入下基区少

  通过这次的课程设计,使我了解到工艺参数对器件的设计起到关 键性的作用。一开始的时候根本就不知道怎么做这个课程设计,不知 道从何入手,只有大量的上网查找各种资料,以及通过课本的参阅来 帮助自己来完成这个设计。这个准备的过程我就花了 3 天半的时间。 但 这个过程是必不可少的,俗话说的好磨刀不误砍柴工,工欲善其 事,必先利其器,但做了大量的准备工作之后,完成这个课程设计 就

  区内,即中性基区进一步展宽到集电区,这就是产生了 Kirk 效应—— 基区展宽效应。 根据集电结耗尽层(令其中电场的分布为 E(x))的 Poisson 方程 dE/dx = -q [(Jc/(qvs)-NC]/eeo, 则可以计算出产生 Kirk 效应的临界电流密度为: Jco ≈ q vs Nc。 当集电极电流密 度大于 Jco 时,即将出现 Kirk 效应。 发射区、基区和集电区的典型掺杂浓度为 1019,1017,1015 cm-3 BJT 是非对称器件。 集电极电流:

  3.3 基区宽度的具体设计 与 PN 结二极管的分析类似,在平衡和标准工作条件下,BJT 可以

  看成是由两个独立的 PN 结构成 基区展宽效应的产生机理: 对于一般放大工作的 npn-BJT,由于集电结加有反向电压,则在


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