沟道夹断, IDS = 0 . 根据栅p-n结耗尽层厚度等于沟道宽度, 得:

　　20微米，栅氧化层厚度100nm，铝栅电极，AL－SiO2－Si。 • 1972年，CMOS技术以低功耗等优点在大规模生产的LED电

　　路中采用。 • 1980 MODFET：调制掺杂型场效应晶体管，会是最快的场

　　• 2001 15nmMOSFET：最先进的集成电路芯片的基本单元， 可容纳1万亿以上的管子。

　　变~缓变; 于是栅结势垒宽度只受E(x)控制, 求解其中的Poisson方程即

　　• 加有电压VDS时, VDS将在沟道各点产生不同的压降, 则使栅 p-n结的耗尽层厚度沿着沟道变化;

　　衬底是低阻n型; 2个对称的pn结构成栅极; 中间留有沟道(长为L, 宽为W).

　　在夹断区, 该近似不适用(因Ey不再缓变); 对短沟道器件, 该近似也不适用

　　在平衡 (不加电压)时, 沟道电阻最小; 电压VDS和VGS都可改变栅结势垒宽度 → 改变沟道电阻 →从而改变 IDS .