② 栅-漏电容 Cgd : 是漏端的栅-漏之间的耗尽层电容(反馈电容); 其作用 是反映漏极与栅极之间的反馈作用 .

　　IGFET 的工作原理略有不同，利用电场能来控制半导体的表面 状态，从而控制沟道的导电能力。 根据沟道导电类型的不同，每类 FET 又可分为 N 沟道器件 和

　　基本结构, 直流参数, 频率参数, 噪声特性, 特性曲线, 小信号参数, 短沟道JFET, 实际结构举例

　　JFET 和 MESFET 的工作原理相同。以 JFET 为例，用一个低掺 杂的半导体作为导电沟道，在半导体的一侧或两侧制作 PN 结， 并加上反向电压。利用 PN 结势垒区宽度随反向电压的变化而变

　　两种 FET 的不同之处仅在于，JFET 是利用 PN 结作为控制栅， 而 MESFET 则是利用金- 半结（肖特基势垒结）来作为控制栅。

　　• 1972年，CMOS技术以低功耗等优点在大规模生产的LED电 路中采用。 • 1980 MODFET：调制掺杂型场效应晶体管，会是最快的场 效应晶体管。

　　• 2001 15nmMOSFET：最先进的集成电路芯片的基本单元， 可容纳1万亿以上的管子。

　　线性电阻段(A点) → 沟道夹断点(B点) 电流饱和机理: ① 长沟道~沟道夹断; ② 短沟道~速度饱和. 夹断 B C D

　　⑤栅源击穿电压BVDS ~ 是漏端栅p-n结的反向击穿电压(= BV VGS). ⑥输出交流功率 P0 ~ 与容许最大漏极电流和容许D-S最高峰值电压

　　衬底是低阻n型; 2个对称的pn结构成栅极; 中间留有沟道(长为L, 宽为W).

　　在平衡 (不加电压)时, 沟道电阻最小; 电压VDS和VGS都可改变栅结势垒宽度 → 改变沟道电阻 →从而改变 IDS . G

　　• 加有电压VDS时, VDS将在沟道各点产生不同的压降, 则使栅 p-n结的耗尽层厚度沿着沟道变化; • 当漏极端的沟道刚被夹断时的VDS, 就是VDSat. • 栅p-n结的耗尽层厚度为

　　⑶在沟道夹断后, 电流饱和, IDSat与VDS无关; 但 若考虑到有效沟道长度的调制效应, 则电流并 不饱和. ⑷电流饱和的机理: 对长沟道JFET, 是在迁移率恒 定下的沟道夹断; 对短沟道JFET？

　　①夹断电压VP ~ 主要与沟道掺杂浓度和原始沟道厚度有关. ②最大饱和漏极电流 IDSS ~ 与沟道尺寸和掺杂浓度有关. ③最小沟道电阻(导通电阻) Rmin ~ 直接影响到器件的耗散功率. ④栅极截止电流 IGSS 和栅源输入电阻RGS ~ IGSS就是栅p-n结的

　　反向漏电流; 则RGS很高. 但 IGSS比单个p-n结的反向漏电流要大.

　　称为场效应。场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET） 是另一类重要的微电子器件。这是一种电压控制型多子导电器 件，又称为单极型晶体管。这种器件与双极型晶体管相比，有 以下优点： ① 输入阻抗高； ② 温度稳定性好； ③ 噪声小； ④ 大电流特性好； ⑤ 无少子存储效应，开关速度高； ⑥ 制造工艺简单； ⑦ 各管之间存在天然隔离，适宜于制作 VLSI 。