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在电动汽车与信息技术飞速发展的背景下，安森美（onsemi）宣布以1.15亿美元现金从Qorvo收购其碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术。这笔交易不仅涉及到Qorvo的SiC技术业务，还包括其全资子公司United Silic...
2024年11月22日，三星显示有限公司（Samsung Display）在国家知识产权局获得了一项名为“薄膜晶体管衬底、制造其的方法以及包括其的显示装置”的专利，正式揭开了其在显示技术领域的新篇章。这项专利的授权公告号为CN110504...
模块系列——SPM31 IPM，QDual 3。值得注意的是，背后都提到采用了最新的FS7技术，主要性能拉满，形成业内独特的领先优势。 众所周知，IGBT是一种广泛应用于电力电子领域的半导体器件，结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MO...
在快速发展的数字经济时代，半导体技术的创新正为各行各业提供基础支持与动力。2024年10月29日，金融界报道了华为技术有限公司申请的低功耗晶体管及芯片专利，这项技术有望在降低功耗、提升设备性能方面发挥重要作用。本文将深度解读这项专利的核心...
半导体分立器件作为现代电子工业的重要组成部分，构成了众多电子设备与系统的核心组件。这些器件由单个半导体晶体管精心设计和制造而成，每个都具有独特的功能和特性。从简单的二极管、三极管，到复杂的双极型功率晶体管(GTR)、晶闸管(可控硅)、场效...
2024年10月29日，金融界报道了华为技术有限公司申请的一项名为“低功耗晶体管及芯片”的专利（公开号CN118825058A）。这一专利的申请日期为2023年4月，反映了华为在半导体行业持续推动技术创新的努力。这项技术的核心在于降低晶体...
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