近年来,半导体技术的快速发展不断推动科技进步,尤其是在移动设备和高性能计算领域。台积电(TSMC)最新宣布在其2nm制程工艺上取得突破,这一消息不仅引起了行业的广泛关注,也为半导体行业的未来发展带来了新的契机。台积电此次引入的创新GAAF...
首先说明一下:晶体管,就是指的半导体器件,二极管也是晶体管里的一种。下面我们详细介绍一下二极管和三极管的特性及功能原理。 点接触二极管是在P型硅晶晶体或N型锗晶体的表面上,安装上一根用钨或金丝做成的触针,与晶体表面接触而成,然后加以电流...
金融界 2024 年 12 月 2 日消息,国家知识产权局信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种内置混合型体二极管的 SiC MOSFET 及制备方法”的专利,公开号 CN 119050148 A,申请日期为 2024 ...
的基本结构是两个反向连结的PN结面,如图1所示,可有pnp和npn 两种组合。三个接出来的端点依序称为发射极(emitter,E)、基极(base,B)和集电极(collector,C),名称来源和它们在的电路符号,发射极特别被标出,箭号...
在智能设备快速发展的背景下,美光科技于2019年10月申请的专利近日引发广泛关注。这项名为“包含异构沟道的晶体管及相关装置、电子系统及方法”的专利,显示了美光科技在半导体技术领域的最新进展。这项技术的核心在于其创新性设计,尤其是异构沟道的...
最近,中国的华羿微电子股份有限公司成功获得了一项专利,名称为“一种高性能MOSFET功率器件外延设计结构、制作方法及应用”,该专利的授权公告号为CN118412381B,申请日期为2024年7月。这项新专利的获得,标志着华羿微电子在电力电...
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