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材料，相较于传统硅基器件，展现出了卓越的性能。SiC具有高禁带宽度、高热导率、高的击穿电压以及高功率密度特性。这些特性使得SiC器件在高效电能转换应用领域具有不可替代的优势，正逐渐成为功率半导体领域的主流选择。 尽管SiC器件性能优越，...
海思是全球领先的Fabless半导体与器件设计公司。前身为华为集成电路设计中心，1991年启动集成电路设计及研发业务，为汇聚行业人才、发挥产业集成优势，2004年注册成立实体公司，提供海思芯片对外销售及服务。海思致力于为智慧城市、智慧家庭...
金融界 2024 年 11 月 8 日消息，国家知识产权局信息显示，华映科技（集团）股份有限公司取得一项名为“一种新型电路”的专利，授权公告号 CN 221960697 U，申请日期为 2023 年 12 月。 专利摘要显示，本实用新型...
在科技迅猛发展的今天，显示技术的进步尤为引人瞩目。近日，三星显示有限公司获得了一项新的专利，名为“显示装置”，其授权公告号为CN221977581U，申请日期为2024年2月。这一专利的发布，为提升现代显示设备的性能开辟了新的研究方向，意...
在科技飞速发展的今天，电子设备的核心组件——晶体管的创新愈发重要。这不仅关乎计算速度，也直接影响到人工智能等领域的应用能力。近日，麻省理工学院（MIT）团队成功研发出一种新型纳米级3D晶体管，这一成就为未来电子设备的发展打开了新的可能性。...
2024年11月9日，华羿微电子股份有限公司正式获得了一项名为“一种 MOSFET器件有源区结构、MOSFET器件及制备方法”的重要专利，授权公告号为 CN118571921B。这一专利的申请时间为2024年8月，标志着该公司在半导体领域...
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