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ULN2803A包含八个达林顿晶体管，这些晶体管具有公共发射极和用于电感负载的集成抑制二极管。每个达林顿都具有600毫安（500毫安连续）的峰值负载电流额定值，并且在关闭状态下可以承受至少50伏。输出可以并联以获得更高的电流能力。 UL...
)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于DC/DC变换、开关电源、...
原标题：华经产业研究院重磅发布《2023年中国碳化硅功率器件行业深度研究报告》 当前碳化硅材料功率器件主要分为二极管和晶体管，其中，二极管主要包括肖特基二极管（SBD）、结势垒肖特基二极管（JBS）、PiN功率二极管（PiN）；晶体管主...
（BJT）。PNP晶体管具有与NPN晶体管完全不同的结构。在PNP晶体管结构中，两个PN结二极管相对于NPN晶体管反转，使得两个P型掺杂半导体材料被一层薄薄的N型掺杂半导体材料隔开。 PNP晶体管中的大多数电流载流子是空穴s，而电子是少...
过零检测器将输入信号与零参考电压 (Vref ) 进行比较。它通过从低切换到高来改变 +V sat 或 -Vsat 的输出，反之亦然。当输入越过零参考电压时。当输入电压信号稍微高于或低于 0v 时，输出会迅速变化。可以使用通用运算放大器、...
mosfet是金属氧化物半导体场效应晶体管。mosfet是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，依照其通道（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括N...
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