晶体二极管是由一个PN结、外壳、引线的。P型区的引线叫正极(阳极)，N型区的引线叫负极(阴极)。

　　由于构成晶体二极管的基本环节是PN结，所以晶体二极管在电路中所起到作用就是它内部的PN结来完成的。因此晶体二极管具有单相导电性能。

　　根据功能划分，常见的二极管包括检波二极管(解调二极管)、整流二极管、开关二极管、阻尼二极管、稳压二极管齐纳二极管、反向击穿二极管)、变容二极管、发光二极管(LED)、光电二极管(光敏二极管)、双向击穿二极管(瞬态电压抑制二极管电视)、快恢复二极管(FRD)等。

　　它是由一根金属触丝和半导体晶片点接触而构成PN结。由于触丝很细，它与半导体接触面很小，所以允许电流不大，它的极间电容也很小(约1微微法)，工作频率可以很高。因此它适用于检波和小电流整流，常用的有2AP系列。

　　它是由二种不同类型半导体以较大面积接触而构成PN结。因而允许电流较大，极间电容也较大(约15~20微微法)，工作频率较低，因此它只适用于整流。常用的有2CP系列，用于较小功率的整流;2CZ系列，用于中等或大功率整流。大容量的元件一般都带有散热片。

　　晶体二极管具有许多优点，例如体积小，重量轻，使用寿命长等。但是，如果使用不当，容易造成不必要的损坏，因此，我们必须合理地选择管子，方能做到物尽其用，充分发挥每一只管子的目。如何选择晶体二极管呢?就必须参考晶体二极管的些参数,晶体二极管的参数很多，但最主要的参数有两个。

　　(1)最大整流电流，是指长期运用时允许流过晶体二极管的最大正向电流。当电流流过晶体二极管时，管子要发热，电流太大，PN结就会因温度过高而烧毁。所以，在使用二极管时,应当使流过二极管的正向电流不超过管子所规定的最大整流电流。

　　另外，一些大功率晶体二极管,由于流过的整流电流比较大, 发热很厉害，使用时需要装置散热片帮助管子冷却。

　　(2)最高反向工作电压，是指晶体二极管所能承受的反向电压值。使用中若超过此值，管子就会由于承受不了而造成反向 击穿。

　　晶体二极管还有一些其它参数，如最大反向电流，最高使用温度，最高工作频率等，在使用时，也需要注意。

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　　端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，

　　是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于

　　由管芯、管壳和两个电极构成。管芯就是一个PN结，在PN结的两端各引出一个引线，并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，就构成了

　　的种类的确很多，但各自郡有不同的用途和特，性□为加以区分，它们的电路图形符号是不一样的，但是差异并不太大，看电路图

　　是锗和硅）制成，是半导体器件中最基本的一种器件，是一种具有单方向导电特性的无源半导体器件。

　　特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。

　　及其应用电路本章重点内容l

　　的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。前者是制造半导体IC的材料（三五价化合物砷化镓GaAs是微波毫米波半导体

　　是依靠 结而工作的。与 结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的

　　的ICEO约为ICBO的β倍，故ICEO要明显大于ICBO。(7) 特征频率FT FT越高，

　　MURF1640CT的机械数据：1、外壳：ITO-220AB 模压塑料2、端子：根据 MIL-STD-750，方法 2026 可焊铅3、标准包装：任何4、重量：0.056 盎司，1.6 克。 以上就是ASEMI超快恢复

　　功能是防静电，然而防静电要求电容值低，一般在1--3.5PF之间最好；而TVS

　　的正向平均电流IF是指在规定的管壳温度和散热条件下允许通过的最大工频半波电流的平均值， 元件标称的额定电流就是这个电流。实际应用中，大功率肖特基

　　用于将交流电转变为直流电的半导体器件，击穿电压高、反向漏电流小、高温性能良好，

　　温度效应的研究包括对迁移率和载流子寿命的温度特性的理论分析和实验研究。 文中针对几种不同

　　其结电容可以做到零点几到几p F的数量级了。原作者：锐志创新 老徐的技术专栏

　　开关特性实验中，其开关转换过程中输出与输入存在时间上的延迟或者滞后，研究

　　，B82-004的最高反向工作电压（即反向峰值电压）VBR=40V。表明留有较高的安全系数.四、常用的肖特基

　　有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号，各

　　电力网供给用户的是交流电，而各种无线电装置需要用直流电。整流，就是把交流电变为直流电的过程。利用具有单向导电特性的器件，可以把方向和大小交变的电流变换为直流电。下面介绍利用

　　最大整流电流IOM：指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。反向击穿电压UB：指管子反向击穿时的电压值。最大反向工作电压UDRM

　　，只往一个方向传送电流（单向导通）的电子零件。几乎在所有的电子电路中都要用到半导体

　　。它在许多的电路中有着重要的作用，所以在我们生活的环境中，哪里都有它的存在。而

　　有结电容、结电容变化范围、最高反向工 作电压、电容比和Q值等，其具体定义如下。1）结电容。这是指在某以特定的直流反向电压下，变容

　　是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的

　　反向恢复时间是指：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。正常快/特快/MDD超快恢复

　　（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为

　　是一种具有单导游电性的电子元器件（即只允许电流往一个方向流过，就是箭头方向），它相似于我们生活中所用的开关，当它正导游通时，相当于开关处于闭合形态，导通电阻很小；当它反向

　　功能是防静电，然而防静电要求电容值低，一般在1--3.5PF之间最好；而TVS

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　　间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。瞬态抑制

　　如下：(1)稳定电压Uz Uz就是PN结的击穿电压，它随工作电流和温度的不同而略有变化。对于同一型号的稳压

　　在正常工作时，管子两端的电压值。这个数值随工作电流和温度的不同略有改变，既是同一型号的稳压

　　稳定电压Uz即对应于图（a）中A点的电压；稳定电流Iz，即接近于图（a）中B点的电流，通常稳压

　　的工作电流大于此值，使它有较好的稳压作用；最大工作电流或最大允许电流IZmax；最大耗散功率为Pz

　　内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备...

　　及标注摘自《新型贴片元器件应用速查》此书为机械工业出版社2013年2月出版，是新书哦！

　　。IPP：峰值脉冲电流，一般在10/1000μs电流波形下的峰值。IT：测试电流。C

　　有2AN系列、2CN系列、2DN系列和BS系列等，表4-48是部分阻尼

　　一般可用到十万小时以上。但是如果使用不合理，他就不能充分发挥作用，甚至很快地被损坏。要合理地使用

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　　。内部由一块P型半导体和N型半导体经特殊工艺加工，在其接触面上形成一个PN结。外部有两个电极，分别称为正极（P型区一侧）和负极（N型区一侧），使用时不能