反向偏置基本上意味着当二极管受到相反的电压时，这意味着阴极处的正电压和阳极的负电压。

　　变容二极管的工作方式取决于二极管处于反向偏置模式时p-n结上的现有电容。

　　在这种情况下，我们发现在结的p-n侧上建立了一个未覆盖的电荷区域，它们共同导致整个结上的耗尽区域。

　　由于上述解释的隔离未覆盖电荷，p-n结两端的电容跃迁可以使用以下公式确定：

　　当施加具有上升反向偏置电位的变容二极管或变容二极管时，会导致器件的耗尽宽度增加，进而导致其过渡电容减小。

　　我们可以看到CT的初始急剧下降，以响应反向偏置电位的增加。通常，可变电压电容二极管施加的反向偏置电压VR的范围限制为20 V。

　　对于使用合金结的可变电容二极管，n的值为1/2，对于使用扩散结的二极管，n的值为1/3。

　　在没有偏置电压或零电压偏置的情况下，电容C（0）作为VR的功能可以通过以下公式表示。

　　作为二极管，在反向偏置区域，等效电路RR中的电阻明显较大（约1M欧姆），而几何电阻值Rs则相当小。CT 的值可能在 2 到 100 pF

　　为了确保RR值足够大，从而使漏电流最小，通常选择硅材料作为变电容二极管。

　　由于变分二极管应该专门用于极高频应用，因此电感LS即使看起来很小，也不能被忽略。

　　10-9F） = 62.8 欧姆。这看起来太大了，毫无疑问，这就是为什么变电容二极管被指定有严格的频率限制的原因。

　　如果我们假设频率范围合适，并且RS，XLS的值与其他串联元件相比较低，则可以简单地用可变电容器代替上述等效电路。

　　V之间时，电容水平的比值。该比率有助于我们快速参考电容相对于施加的反向偏置电位的变化水平。

　　优点Q系数提供了为应用实现器件的考虑范围，它也是电容器件每个周期存储的能量与每个周期损失或耗散的能量之比的比率。

　　其中ΔC表示器件电容的变化，由于温度变化（T1 - T0）表示，对于特定的反向偏置电位。

　　使用上述数据，我们可以评估变分二极管电容电容的变化，只需将新的温度T1值和图表中的TCC代入（0.013）。有了新的VR，TCC值可以预期会相应地变化。回顾数据表，我们发现达到的最大频率为600

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　　参与的各种电路，实际上这样的想法是错误的，而且在某种程度上是害了自己，因为这种定向思维影响了对各种

　　电压、最大正向电流和零偏压结电容等参数是否符合应用电路的要求，应选用结电容变化大、高Q值、反向漏电流小的

　　为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场

　　相当于一只微调电容，只需要改变其两端的反偏直流电压的大小，就可以方便的调节电容量。另外，

　　这种调谐器被称为电调谐器。电调谐器业已发展到锁相环频率合成调谐、存储调谐等新一代调谐器，使接收机的调谐方式提高到一个新的水平。

　　时两端所允许 施加的最高直流反向电压值。使用时不允许超过该值，否则有可能会击穿管子

　　点要选择合适，即直流反偏压要选适当。一般要选用相对容量变化大的反向偏压小的

　　这些措施中，温度补偿法得到了广泛的应用。尤其是在军工产品方面，为了满足产品在高、低温环境下的

　　本帖最后由 330538935 于 2019-8-9 10:09 编辑 产品名称: 调谐专用

　　产品特性可提供卷带包装电容比为10：1低成本MACOM提供四个低成本表面贴装砷化镓调谐

　　的基础上发明的，是一种新型高效的电路保护器件，专门用于抑制暂态过电压，具有优越的过电压防浪涌保护作用。电路正常

　　许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。

　　。要根据应用电路的主要参数（例如正向电流、最高反向电压、反向恢复时间等） 来选择开关

　　电压、最大正向电流和零偏压结电容等参数是否符合应用电路的要求，应选用结电容变化大、高Q值、反向漏电流小的

　　的反向恢复时间可以小到几纳秒，而且它的整流电流可以达到几千安，适用于低电压、大电流的条件下

　　。电调谐器业已发展到锁相环频率合成调谐、存储调谐等新一代调谐器，使接收机的调谐方式提高到一个新的水平。

　　电容和电压的关系？之前尝试过用测量普通电容的振荡电路（频率、电感、电容）去测量

　　，后来发现在该电路电容上的电压在某一频率时就有多个值，这样测出的值对于

　　本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 编辑 发光

　　中PN结电容的大小除了与本身结构尺寸和工艺有关，还与外加电压有关。一般来说，结电容随反向电压的增加而减小，这种效应显著的

　　。要根据应用电路的主要参数（如正向电流、最高反向电压、反向恢复时间等）来选择开关

　　，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流

　　有许多种类，有的可用作为整流，有的可用作为检波、限幅、开关等，但不一定都能用作为整流。不过，只要在电压和电流上满足整流的要求，一般的

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　　及过程，衷心感谢。 另外，我是初学电子学，能推荐一本比较通俗易懂的书吗，现在看的是实用电子元器件与电路基础，再谢！

　　（PowerDiode，PD）是指可以承受高电压、大电流，具有较大耗散功率的

　　，它与其他电力电子器件相配合，作为整流、续流、电压隔离、钳位或保护元件，在

　　，主要功能是防静电，然而防静电要求电容值低，一般在1--3.5PF之间最好；而TVS

　　，主要功能是防静电，然而防静电要求电容值低，一般在1--3.5PF之间最好；而TVS

　　的，每一个PN结都有自己的反向击穿电压UB。例如UB为200V，当施加到PN结的反向电压小于200V时，电流不导通，而当施加到PN结的反向

　　的外形基本相似。当壳体上的型号标记清楚时，可根据型号加以鉴别。当其型号标志脱落时，可使用万用表电阻挡很准确地将稳压

　　由半导体PN结构成。大家知道，PN结具有单向导电性。即在PN结上加正向电压时，正向电流较大。且随正向电压的增加，正向电流迅速增大；当PN结加反向电压时，反向电流很小，且反向电压

　　电流在很大范围内变化而其两端的电压基本不变。它的原理图符号有如下图所示的两种：标称

　　一样，是一个PN结，但是由于制造工艺不同，当这种PN结处于反向击穿状态时，PN结不会损坏，当稳压

　　都是并联在线圈的两端，线圈在通过电流时，会在其两端产生感应电动势。当电流消失时，其感应电动势会对电路中的原件产生反向电压。当反向电压高于原件

　　通常与储能元件一起使用，以防止电压和电流的突然变化，以提供路径。电感器可以通过它向负载提供连续电流，以避免负载电流的突然变化并平滑电流。在开关电源中，可以看到由串联连接的

　　起稳压作用，应用场合大多为并联在电源、IC器件两端，防止过电压，起保护作用。肖特基

　　加直流电压时的值。用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。7.最高

　　，从而集成电路内部的功耗就小了很多，提高了热稳定性能，也就提高了可靠性。肖特基

　　是利用 PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。6））瞬态

　　。施加的电压在反向偏置区反向偏置，电流也是如此，在施加的电压超过齐纳电压后，电流在击穿区域显着上升。齐纳

　　涉及三种不同的现象。在反向偏置电压下，齐纳击穿发生在雪崩击穿之前。当电子在

　　也称为压控变容器，是根据所提供的电压变化而改变结电容的半导体。也就是说，作为可变电容器，可以被应用于FM调谐

　　两端加上反向电压时，其内部的 PN 结变厚。反向电压越高，PN 结越厚。由于