变化较大的二极管。变容二极管的电容随着反向偏置的增加而减小。电容变化比大于5的情况并不少见。典型变容二极管电压电容特性见图1。

　　能够用控制电压改变电容非常有用，尤其是在射频（RF）应用中。变容二极管可用于调整系统的增益和相位对齐，也常用于压控振荡器（VCO）应用。

　　变容二极管表现出较大的正温度系数。温度系数也随施加的反向电压而变化。温度系数可以在 100 PPM/°C [百万分之一 （PPM）/摄氏度 （C）] 到 1200 PPM/°C 以上之间变化。 典型变容二极管电容温度系数特性见图2。

　　在大多数封闭应用中，变容二极管表现出的大温度系数并不是主要问题，但在性能至关重要的开环系统中，可能需要调整反向偏置电压以考虑电容随温度的变化漂移。本应用笔记介绍了DS1851如何在整个温度范围内调节反向偏置电压，以保持恒定的变容二极管电容。

　　DS1851为双通道8位数模转换器（DAC），内置双通道独立40字节查找表（LUT）和内部数字温度传感器。温度传感器在-4°C至+40°C的温度范围内以95°C为增量指向LUT中的每个位置。 通过这种方式，LUT可以在任何温度下为每个DAC分配一个唯一值，以匹配特定的温度系数。

　　图3所示为DS1851如何设置变容二极管的电容，并补偿温度系数。由于变容二极管具有正温度系数，并且电容随反向偏置的增加而减小，因此DS1851中的LUT需要设置为较高温度时增加的值和较低温度下的减小值。

　　DS1851中的每个DAC相邻步进对应于一个3906 ppm的上行或下行步进。与变容二极管温度系数相匹配的DAC步进速率可通过以下公式计算：

　　例如，如果对于特定的反向偏置设置，变容二极管的温度系数为600 ppm/°C，则需要对LUT进行编程，以每1.63个位置增加和减少DAC步进，以匹配变容二极管温度系数。这可以通过在 5 字节范围（8 字节/8 字节 = 5.1）上编程 6 个递增/递减值来实现。

　　本帖最后由 SELECT. 于 2011-9-1 17:22 编辑 工作原理

　　系数约为0.03～0.05%/℃，这在要求高的接收机中使用可能会产生失调及频率漂移。因此，将两个

　　反相串联后使用(见图 2(b))，可使失调降低15～20dB。另外，也可用一个硅

　　内部 “pn结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊

　　内部 “pn结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊

　　的主要参数有结电容、结电容变化范围、最高反向工 作电压、电容比和Q值等，其具体定义如下。1）结电容。这是指在某以特定的直流反向电压下，

　　也称为压控变容器，是根据所提供的电压变化而改变结电容的半导体。也就是说，作为可变电容器，可以被应用于FM调谐器及TV调谐器等谐振电路和FM调制电路中。比如你收音机调台，不同的电台频率

　　系数约为0.03～0.05%/℃，这在要求高的接收机中使用可能会产生失调及频率漂移。因此，将两个

　　is a dual 8-bit digital-to-analog converter (DAC) which also contains dual

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