ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) 国际固态电路会议由IEEE固态电路学会 (SSCS) 举办，是世界学术界和工业界公认的集成电路设计领域最高级别会议，被认为是集成电路设计领域的 “芯片奥林匹克大会”。

　　根据大会组办方最新公布的数据，在2025年ISSCC录用的246篇同行评审论文中，中国大陆共发表76篇，较去年54篇大幅增长了41%，也同样超越了美国的55篇，保持第一。中国大陆及港澳地区发表92篇，中国台湾发表20篇。

　　本文就来看一下，ISSCC 2025中国大陆贡献出的中国力量。（需说明的是，因专业术语繁杂且本人对其理解与驾驭能力有限，若下述内容存在偏差或错误，在此诚挚请求各位读者予以理解与宽容。）

　　从投稿数量来看，ISSCC历年来的投稿数量都在600篇左右，但自2024年开始，论文的投稿数迅速增长达到873篇，到了2025年论文的投稿数达914篇。这其中的增长有很大一部分原因得益于中国集成电路的蓬勃发展。ISSCC国际技术委员会中国区代表、中国科学技术大学程林教授表示，这将会是一个新常态，近几年论文提交都会稳定在900左右。

　　ISSCC 各技术委员会录用论文分布12个领域中，有三个领域占比超过10%，分别是图像、MEMS,医疗和显示（IMD）；电源管理；射频电路。

　　ISSCC 2025入选论文的国家、地区分别有：远东区的中国大陆、澳门、香港、台湾；韩国；日本；新加坡。北美的美国、加拿大。欧洲的荷兰、比利时、法国、意大利、爱尔兰、瑞士、德国、英国。远东地区2025年录用论文数达到165篇，大概占ISSCC全部论文的三分之二。

　　工业界被录用论文达19篇，其中包括三星、联发科、英特尔、台积电等，值得注意的是，中国一家初创企业——芯翼信息科技（上海）被录用。科研机构被录用论文达5篇，其中国内包括固态微波与电路全国重点实验室、中科院半导体所、中科院微电子所等三所科研院所，高校被录用论文达72篇，其中有36所高校被录用论文数量在2篇及以上。

　　从ISSCC 2025来看，中国内地论文涵盖了全部12个技术领域，获收录的文章数量持续上升，并且第一隶属机构数量也在不断提升。

　　其中北京大学有15篇论文获得收录，相较于去年的5篇，北京大学收录论文数量暴增。清华大学收录13篇。华东师范大学、南京大学、南京理工大学、国防科技大学、华南理工大学都是首次入选，国内企业芯翼信息科技也首次入选ISSCC。

　　此篇为Session 10 的亮点论文。腔体封装天线 接收器 FMCW 阵列无需使用 CMOS 技术中的附加透镜即可实现显著的 28dBm 等效全向辐射功率 (EIRP)。该设计结合了高功率幅度相位谐波调制四倍频器、基于低损耗功率合成器的高功率功率放大器 (PA) 和腔体封装 AiP，可实现高分辨率雷达和 3D 成像功能。

　　此篇为Session 27的亮点论文。采用电容偏置二极管技术来产生恒定的 Gm 偏置电流，该电流与频率成比例，但在温度和电源电压范围内保持稳定。二阶 CT ΔΣ 调制器使用 Gm-C 积分器和异步多位量化器，在 225 倍 BW 范围内实现带宽/功率可扩展操作，SNDR 接近一致，为 84dB，功率扩展为 5.8nW/Hz。

　　此篇为Session 28的亮点论文。电容相位转换器前端和相位域 delta-sigma 调制器共同提供固有带通滤波和共模抑制，使转换器能够抑制 EMI，如 DC 和 100MHz 附近的 CMRR 分别为 119dB 和 97dB 所示。转换器的动态范围为 143dB，同时功耗为 625μW。

　　此篇为Session 17的亮点论文。激光照射引起的睡眠晶体管中的泄漏偏移可用于攻击检测，保持标准单元设计，同时确保最小的开销，对功率的影响约为 0%，对性能的影响约为 1.23%，对面积的影响约为 4.35%。

　　此篇为Session 5的亮点论文。清华大学推出一款GaN PA，通过引入无开关G类-Doherty连续体操作，在宽频带上实现高回退效率。在1.35至7.6GHz频带上获得超过38%的6dB回退漏极效率。对于具有7.5dB PAPR的100MHz LTE信号，平均功率为29.1至31dBm，漏极效率为35至49.2%。

　　此篇为Session 2 的亮点论文。通过动态重构和基于缓存的时空调度相结合的方式，该处理器相对于 SOTA 3D 渲染加速器实现了 1.96 倍的峰值吞吐量、3.18 倍的面积归一化吞吐量和 7.9 倍的每帧能耗降低。

　　此篇为Session 23 的亮点论文。采用主动位分配格式，外部存储器访问减少了 3.87 倍，而混合精度矩阵乘法可将功耗降低 4.87 倍，二维重构可将效率提高 22.3%。该加速器在 LLaMA-2-7B 推理中实现了 88.36TOPS/W 的峰值能效。

　　此篇为Session 18 的亮点论文。免校准原型实现了 93.3dB SNDR、180.4dB SNDR FoMS，这是之前采用增益/失配误差抑制技术的免校准 ADC 中最高的，同时还具有最大的增益误差容差范围。