-DC稳压器输出电压范围的替代方法。使用自耦变压器，输入输出电压可以扩展到

　　在图 1 中，具有内部开关 MOSFET 的 DC-DC 稳压器反相 12V，在 -200V 时产生 12mA 输出。该 IC 是一款高效率器件，其低静态电流（最大值为 120μA） 是通过 CMOS 工艺实现的，该工艺将绝对最大电压限制为 21V （输入至输出）。因此，为了避免端子两端出现24V电压，IC必须通过驱动非自举配置中的外部开关或反激式变压器配置中的内部开关，将自身与电感反激式电压隔离开来。

　　图1.自耦变压器T1限制IC1两端的电压，允许在该反相DC-DC稳压器中使用高效芯片（绝对最大电压为21V）。

　　自耦变压器 T1（匝数比为 1：1 的中心抽头电感器）提供了一种设计替代方案。在所示电路中，LX飞回1/2V外加上二极管压降，或大约-6V.V+保持在12V，在V+和LX之间产生18V的最大电压，完全在21V的限制范围内。

　　由于IC1在V+和OUT电压之间驱动其内部MOSFET的栅极，因此通常将OUT连接到V外以确保足够的栅极驱动（在典型应用中，芯片将5V反相至-5V）。在该电路中，12V输入提供足够的栅极驱动，因此OUT接地。