出席建设银行上海分行与临港管委会金融贸易处联合举办的活动。董事长徐菲女士在活动现场表示：近期完成由建信(北京)投资基金（系建设银行控股子公司）领投的超5亿元人民币B轮融资，该轮融资的其他的细节和资方暂未披露，我们后续将持续更新。

　　在会上，瀚薪科技还宣布了与建设银行将达成全面战略合作，包括海外金融、供应链金融、重大建设项目授信等方面合作。

　　瀚薪科技成立于 2019 年，是一家致力于研发与生产第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块的高科技企业。目前具备大规模量产车规级碳化硅 MOS 管、二极管并规模出货给全球知名客户的能力。瀚薪科技2020至2022年营业收入年复合增长率超过300%。

　　根据公司披露：上海瀚薪具备多年的车规级SiC肖特基二极管与SiCMOSFET研发及量产经验。量产产品均在各市场龙头企业得到认可并大批量出货。碳化硅二极管涵盖650V、1200V和1700V电压范围，最大额定电流40A，其中60A产品 bare die已经通过可靠性认证，SOT-227封装也已经量产，并可根据客户需求进行封装。MOSFET系列涵盖650V、1200V、1700V和3300V电压范围并都已经批量供应。目前，单管最小导通阻抗为30mΩ，其中20mΩ即将跟大家见面。已量产的JBS与Sic mosfet涵盖行业各种标准封装。截至2022年底，上海瀚薪的车规级碳化硅二极管、MOSFET累计出货量超3000万颗，其中MOSFET累计出货量1000万颗。

　　2021年8月，瀚薪科技碳化硅产业基地项目签约落地上海临港，将开展碳化硅器件和模块的研制、碳化硅系列产品的检测和生产。2022年7月，瀚薪临港研发中心办公室正式落成启用。今年1月，江苏盐城高新区负责人还曾在采访中表示，正在推进瀚薪碳化硅模块项目的签约工作，由此信息可见瀚薪未来有望将自建产线。

　　原文标题：瀚薪科技完成B轮融资，已出货碳化硅二极管、MOSFET超3000万颗

　　文章出处：【微信号：第三代半导体产业，微信公众号：第三代半导体产业】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。

　　（SiC）材料因其出色的物理性能而备受关注。作为一种宽禁带半导体材料，

　　是一种新型半导体材料，在高频电源电子装置中得到了广泛应用。与传统的硅（Si）材料相比，

　　是一种新型的功率半导体器件，具有在高频开关电路中广泛应用的多个优势。 1. 高温特性：

　　尖峰的抑制 /

　　分立器件的特性与优点 /

　　SiC功率器件，全球市场总体规模，前三十大厂商排名及市场份额 /

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　　材料的半导体器件，具有高速、高温、高功率特性。其原理基于肖特基效应，即在金属与半导体接触处形成一个肖特基势垒，使得半导体中的载流子向金属一侧偏移，形成整流效应。

　　（Silicon Carbide Schottky Diode）是一种高性能半导体器件，具有低开启电压、高速开关、高温性能等优点，广泛应用于电源、驱动、逆变器、电动汽车等领域。

　　（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电

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