BJT或双极结型晶体管有两种主要类型。NPN是BJT的分类之一，它是一个三端设备，用于放大和切换。在NPN晶体管的情况下，电子是多数电荷载流子。下面就一起来了解一下NPN晶体管的结构、符号、应用、工作原理、优缺点以及电路图吧！

　　BJT或双极结型晶体管有两种主要类型。NPN是BJT的分类之一，它是一个三端设备，用于放大和切换。在NPN晶体管的情况下，电子是多数电荷载流子。下面就一起来了解一下NPN晶体管的结构、符号、应用、工作原理、优缺点以及电路图吧！

　　可以说，一个npn晶体管的工作原理类似于一个接一个地连接的2 pn结二极管的工作原理。 这些PN结二极管称为集电极-基极CB结和基极-发射极BE结。

　　通常，NPN晶体管由于电子的迁移率而被用作双极晶体管，因为它比空穴的迁移率高。

　　NPN晶体管需要反向和正向偏置才能工作。 在发射极电压和发射极之间建立正向偏置。 反向偏置连接在集电极电压和集电极之间。

　　现在，作为 a 的 n 侧二极管以电子为主，p侧以空穴为主，所有电压连接相应地排列为正向和反向偏置。 基极发射结设置为反向偏压，集电极基极结作为正向偏压。 与集电极-基极交叉点的耗尽区相比，该发射极-基极区的耗尽区更窄。

　　当结反向偏置（发射极）时，空穴从电源流向N结。 然后，电子向p侧移动。 在此，发生一些电子的中和。 其余电子移向n侧。 相对于发射极和基极的压降为VBE作为输入端。

　　在N型发射器中，电荷载流子主要是电子。 因此，电子通过N型发射极传输到P型基极。 电流将流过发射极-基极或EB结。 该电流称为发射极电流（Ie）。 这里的发射极电流（IE）从输出侧流向两个方向； 一个是IB另一个是IC。 所以我们可以写IE=IB+IC。

　　但是，基极区相对较薄且轻掺杂。 因此，大多数电子将通过基极区域，只有很少的电子将与可用的空穴复合。 与发射极电流相比，基极电流最小。 通常，它高达整个发射极电流的5％。

　　电压源连接到NPN晶体管。 集电极端子连接到电源电压（V的+ ve端子）CC）使用负载电阻（RL）。 负载电阻还可用于减少流经电路的最大电流。

　　基本端子连接到基本提供电压（V的+ ve端子）B）电阻RB。 基极电阻用于限制最大基极电流（IB)。

　　当晶体管导通时，大的集电极电流通过集电极之间的电路并从发射极流过。 但是，由于极少量的基极电流必须流到晶体管的底端。

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