盖世汽车讯 8月16日，东芝电子元件及存储装置株式会社（东芝）推出两款汽车40V N沟道功率MOSFET“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”，采用东芝新型S-TOGL™（小型晶体管鸥翼引线）封装，并搭载U -MOS IX-H工艺芯片。

　　自动驾驶系统等安全关键应用通过冗余设计确保可靠性，因此比标准系统集成了更多设备并需要更多安装空间。所以，推进汽车设备尺寸的减小需要能够以高电流密度安装的功率MOSFET。

　　XPJR6604P和XPJ1R004PB采用东芝新型S-TOGL™封装（7.0mm×8.44mm），而该封装采用无柱结构，将源极连接部分和外部引线统一在一起，其中源极引线的多引脚结构降低了封装电阻。

　　与具有相同热阻特性的东芝TO-220SM（W）封装产品相比，S-TOGL™封装与东芝U-MOS IX-H工艺的结合可将导通电阻降低11%。与TO-220SM（W）封装相比，新封装还将所需安装面积减少了约55%。除此之外，新封装的200A漏极电流额定值高于东芝类似尺寸的DPAK +封装（6.5mm×9.5mm），从而实现高电流。总体而言，S-TOGL™封装实现了高密度和紧凑的布局，减小了汽车设备的尺寸，并有助于高散热。

　　由于汽车设备在极端温度环境下使用，因此表面安装焊点的可靠性是一个关键的考虑因素。S-TOGL™封装采用鸥翼引线，可减少安装应力，提高焊点的可靠性。

　　假设需要将多个器件并联以用于需要更高电流操作的应用，东芝支持新产品分组发货，其中使用栅极阈值电压进行分组。这允许使用特性变化较小的产品组进行设计。

　　东芝将继续扩大其功率半导体产品的产品阵容，并通过更多用户友好的高性能功率器件为实现碳中和做出贡献。

　　新S-TOGL™封装：7.0mm×8.44mm（典型值）；大漏极电流额定值：XPJR6604PB：ID=200A及XPJ1R004PB：ID=160A；符合AEC-Q101标准；IATF 16949/PPAP可用；低导通电阻：XPJR6604PB：RDS（ON）=0.53mΩ（典型值）（VGS=10V）及XPJ1R004PB：RDS（ON）=0.8mΩ（典型值）（VGS=10V）