NPN晶体管是晶体管的一种，当基极b点电位高于发射极e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而集电极C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。

　　发射极为N型半导体、基极为P型半导体、集电极为N型半导体的晶体管称为“NPN型晶体管”。例如，在基极和发射极之间施加电压，使基极具有正电压，发射极具有负电压或地电位。

　　然后，N型半导体发射极中的自由电子流入基极。从发射极流出的电流称为“发射极电流”，流过基极的电流称为“基极电流”。一部分电子被困在基极(P型半导体)的电荷空穴中，成为“基极电流”，而其余大部分则进入集电极。这称为“集电极电流”。

　　基极很薄，从发射极流向基极的大部分电子都是“集电极电流”。考虑电流而不是电子的运动，流经发射极的电流是“基极电流”和“集电极电流”的总和。注意电子的方向和电流的方向是相反的。在这里，PN结半导体的特性是增加基极和发射极之间的电压会以指数方式增加“发射极电流”。

　　现在，由于“基极电流”小到可以忽略不计，“发射极电流”和“集电极电流”几乎是相同的电流。因此，增加基极和发射极之间的电压将使“集电极电流”呈指数增加。

　　因此，如果将“基极电流”视为输入电流，将“集电极电流”视为输出电流，则输入电流的变化会被输出电流的较大变化放大。

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