一个 PNP晶体管通过在两个 P 型半导体之间合并 N 型半导体而构建。

　　一个 PNP晶体管通过在两个 P 型半导体之间合并 N 型半导体而构建。

　　中间层（N型）称为B-Base终端。 左侧的P型层用作E-发射极端子，右侧的P型层用作C-Collector端子。

　　在 NPN 晶体管形成中，一种 P 型半导体材料适合两个 N 型半导体之间，如文章中所述（Link NPN 晶体管）. 而在 PNP 晶体管中，一个 N 型半导体安装在两个 P 型半导体材料之间。

　　在 PNP 晶体管中，两个二极管的种类 被使用。 它们分别是PN和NP 二极管. 这些 PN 结二极管称为集电极-基极或 CB 结和基极-发射极或 BE 结。

　　在P型半导体材料中，电荷载流子主要是空穴。 因此，在该晶体管中，电流的形成仅是由于空穴的运动。

　　（P型）发射极和集电极区域的掺杂程度要高于N型基极。 与基极相比，“发射极”和“集电极”区域的区域更宽。

　　通常，在N型半导体中可以使用足够多的自由电子。 但是，在这种情况下，中间层的宽度更窄并且被轻掺杂。

　　发射极与基极的交点链接到转发偏向。 以及电源的+ ve端子（VCB）与所有Base端子（N型）相连，而-ve端子与所有Collector端子（P型）相连。 因此，收集器与基部的交点与反向偏置相关联。

　　由于这种偏置，EB结处的耗尽区较小，因为它与转发偏置相关。 即使CB结处于反向偏置状态，集电极-基极结的耗尽区也足够宽。 EB结正向偏置。 因此，更多的空穴从发射极穿过耗尽区，并作为基极的输入。 同时，在基极的发射极中携带并与空穴重新结合的电子很少。

　　但是在基极的电子数量是最小的，因为它是相当少的掺杂和狭窄的区域。 因此，几乎所有发射极区的空穴都将通过耗尽区并带入基极区。

　　电流将流经EB结。 这是发射极电流（IE）。 所以我C，集电极电流将由于空穴而流过集电极-基极层。

　　1、PNP晶体管用作开关，例如，模拟开关，紧急按钮等。它们在需要紧急关机时也有应用。

　　2、这些类型的晶体管用在电流源电路中，即通过利用从集电极流出的电流的特性。

　　5、PNP型晶体管用于重型电动机中，以控制电流以及各种机器人和微控制器设计应用。