或 P 型半导体材料组成，栅极由相反的半导体类型制成。N 沟道掺杂有施主杂质，其中通过沟道的的形式为负。P 沟道掺杂受主杂质，其中电流以空穴的形式流动为正。由于与空穴相比，电子通过导体具有更高的迁移率，因此 N 沟道 JFET 与其等效的 P 沟道类型相比具有更高的沟道导电性。

　　输入阻抗非常高，因为栅极结是反向偏置的，并且没有少数载流子对流经器件的贡献。来自 N 沟道的电荷载流子耗尽用作 JFET 的控制元件。当栅极变得更负时，来自栅极周围较大耗尽区的多数载流子被耗尽。对于给定的源漏电压值，这会减少电流。

　　FET 可以通过多种方式制造。重掺杂衬底通常用作硅器件的第二栅极。使用外延或通过将杂质扩散到衬底中或通过离子注入，可以生长有源N型区。漏极和源极之间的距离很重要，无论 FET 使用什么材料，都应保持最小距离。

　　该JFET被掺杂以含有正或负电荷载体的丰富，因为它是半导体材料的长通道。为了在界面处出现 PN 结，栅极端子的掺杂应该与围绕它的沟道的掺杂相反。电荷通过 JFET 的流动是通过收缩载流通道来控制的，而花园软管则是通过挤压它来控制水流以减小横截面。

　　N沟道和P沟道JFET的原理图符号如下所示。P 沟道 JFET 的工作方式与 N 沟道相同，但有以下例外：

　　下面显示的 JFET 横截面图像是一个适当偏置的 JFET，其中栅极是反向的，并构成到源极到漏极半导体板的二极管结。如果在源极和漏极之间施加电压，由于掺杂，N 型条将在任一方向导电。反向偏置的程度控制导通。施加适度的反向偏压可以增加耗尽区的厚度。通过使沟道变窄，增加了源漏沟道的电阻。对于低电平漏电池电压，源漏电流可以在任一方向流动，因为源漏是可以互换的。

　　是一种改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件，属于电压控制性半导体器件，具有输入电阻高，噪声小，功耗低，没有

　　（（Junction Field-Effect Transistor，J F

　　具有噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成等优点，所以在开关电路中迅速走红， 可是一提起

　　音频放大器的差分输入电路及调制、较大、阻抗变换、稳流、限流、自动保护等电路，可选用

　　。音频功率放大、开关电源、逆变器、电源转换器、镇流器、充电器、电动机驱动、继电器驱动等电路，可选

　　是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极

　　的通道（鳍片）是垂直的。该设备需要牢记特定尺寸。唤起马克斯·普朗克的“量子”，FinFET表现出一种称为宽度量化的

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