晶体管大致可以分为“NPN”和“PNP”两种类型。从右图中也可以看出，主要是根据集电极引脚侧在电路中是吸入还是输出

　　如果想根据输入信号进行开关，那么使用NPN型晶体管，发射极接地。如果想在电源侧进行控制，则通常使用PNP型晶体管。

　　NPN型晶体管的载流子是电子（负电荷），而PNP型晶体管的载流子是空穴（正电荷）。在PNP型中，通过施加电压使发射极为正电压，基极为负电压，使发射极空穴（正电荷）流入基极，其中一部分与基极电子（负电荷）结合，产生微小的基极电流，其余部分扩散到集电极并成为集电极电流。

　　正是那时拉开了当今电子时代的帷幕。此后，包括计算机在内的电力电子技术得到了飞速发展。从对我们的生活带来如此巨大的贡献来看，贝尔实验室的三位物理学家约翰·巴丁(John Bardeen)、沃尔特·布拉顿(Walter Brattain)、威廉·肖克利(William Shockley)获得诺贝尔奖可谓是当之无愧。

　　之后的发明，还有什么能与晶体管相匹敌呢？无论如何，晶体管对当今时代产生了巨大的影响。

　　然而，锗具有在80℃左右时会损坏的缺点，所以现在大多采用硅材质。顺便提一下，硅是一种可以承受约180℃高热的物质。

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　　是一种半导体器件，通过将一层半导体材料放置在两层极性相反的材料之间而创建。

　　（如8050）通常在两层负极材料之间有一层正极材料。相比之下，正负正（

　　背后的基本思想是，它允许您通过改变流经第二个通道的较小电流的强度来控制通过一个通道的电流。1）截止

　　发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档，

　　之间）和发射结（B、E极之间），发射结与集电结之间为基区。 根据结构不同，

　　）形成的两个 PN 结（发射结和集电结）组成，分别从三个区引出三个电极（发射极e、基极b 和集电极c）。

　　（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极

　　两种方案，但是不知道这两种方案哪一种更好或者更合理，而且没有头绪，大佬可否指点，感谢。 其实想的不仅是

　　，基极上的电压必须低于发射极上的电压。像这样的基本电路通常将发射器连接到电源的加号。通过这种方式，您可以判断发射极上的电压。

　　的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。

　　影响其他开关的通与断，即开关之间相互“独立”，相互“无关”。常在人机交互场景之中有着特定应用。 一，NMOS（

　　多发射极分别接到比较器的输出端，集电极共用一路上拉电阻连接至电源，如果多路比较器有一路导通，则该多发射极

　　两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极

　　。注意：锗管用R×100测量，硅管用R×1k测量。○ 确定发射器和集电极使用万用表测量除基极电极外两极的电阻。更换

　　transistor part number(UTC MCR101L 6UDA)是

　　。由于受工艺限制，基区宽度不可能很小，所以它的值相对较低，一般为十几倍到二、三十倍。横向

　　也会出现不能关断负载的问题（Why?）。那这时候常见的解决办法是再加入一个

　　是相反的，从而产生Positive-Negative-Positive

　　二极管。二极管的左侧称为发射极-基极二极管，二极管的右侧称为集电极-基极二极管。

　　传感器的3线接线 大多数 工业接近传感器 （包括 电感式 、 电容式 、 超声波 和光电式）都是固态的。所谓“固态”是指传感器内使用的部件

　　；R1 = 10 欧姆，R2 = 10 欧姆-PEMD3_PIMD3_PUMD3

　　；R1 = 22 欧姆，R2 = 22 欧姆-PEMD2_PIMD2_PUMD2

　　中，一个n型的基底区被夹在两个p型的掺杂层之间，以形成两个p-n结。相反，