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C）。安森美预计交易将在2025年第一季度完成，同时这也意味着Qorvo即将退出SiC市场。 近几年Qorvo在碳化硅领域推出不少具有亮点的新品，并且应用涵盖数据中心到电动汽车。今年一季度Qorvo的财报中还显示，SiC功率器件产品已经...
2024年10月26日，珠海迈巨微电子有限责任公司（以下简称“迈巨微电子”）迈出了关键一步，成功获得一项名为“场效应晶体管器件、制备方法及电池管理系统”的专利，授权公告号为CN112054024B。这一专利的申请时间为2020年9月，标志...
在电动汽车与信息技术飞速发展的背景下，安森美（onsemi）宣布以1.15亿美元现金从Qorvo收购其碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术。这笔交易不仅涉及到Qorvo的SiC技术业务，还包括其全资子公司United Silic...
2024年11月22日，三星显示有限公司（Samsung Display）在国家知识产权局获得了一项名为“薄膜晶体管衬底、制造其的方法以及包括其的显示装置”的专利，正式揭开了其在显示技术领域的新篇章。这项专利的授权公告号为CN110504...
模块系列——SPM31 IPM，QDual 3。值得注意的是，背后都提到采用了最新的FS7技术，主要性能拉满，形成业内独特的领先优势。 众所周知，IGBT是一种广泛应用于电力电子领域的半导体器件，结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MO...
在快速发展的数字经济时代，半导体技术的创新正为各行各业提供基础支持与动力。2024年10月29日，金融界报道了华为技术有限公司申请的低功耗晶体管及芯片专利，这项技术有望在降低功耗、提升设备性能方面发挥重要作用。本文将深度解读这项专利的核心...
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